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    • SC2276 SOI-Wafer

    Katalog-Nr. SC2276
    Material Si
    Durchmesser 2'' bis 12''
    Dotierstoff Bor/Phosphor/Antimon/Arsen
    Leitfähigkeit P-Typ/N-Typ / Intrinsisch

    SAM bietet thermische Siliziumoxid-Wafer mit einem Durchmesser von 2" bis 12" an. Wir wählen immer erstklassige und fehlerfreie Silizium-Wafer als Substrat für das Wachstum einer hochgradig gleichmäßigen thermischen Oxidschicht, um Ihre spezifischen Anforderungen zu erfüllen.

    Verwandte Produkte: Indium-Antimonid-Wafer, Siliziumkarbid-Wafer, Galliumphosphid-Wafer, Silizium-Wafer, 1851 Germanium-Wafer (Ge-Wafer).

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    SC2276 SOI Wafer
    SC2276 SOI Wafer
    Beschreibung
    Spezifikation

    LETZTE EMPFEHLUNG

    sc/1617701593-normal-tantalum-silicide-powder.jpg
    TA0075 Tantaldisilicid (TaSi2)-Pulver (CAS-Nr. 12039-79-1)
    sc/1685956715-normal-NR0103.jpg
    NR0103 Siliciumnitrid-Pulver (CAS-Nr.12033-89-5)
    sam_de/sc/1730778156-normal-NN0219.jpg
    NN0219 Nano-Siliciumnitrid (Si3N4)-Pulver (CAS-Nr. 12033-89-5)
    sc/1653538333-normal-Micro Silicon Nitride.jpg
    NR0220 Mikro-Siliciumnitrid (α-Si3N4)-Pulver (CAS-Nr. 12033-89-5)
    sc/1653538333-normal-Micro Silicon Nitride.jpg
    NR0221 Mikro-Siliciumnitrid (β-Si3N4) Pulver (CAS-Nr. 12033-89-5)
    sc/1686276168-normal-HF0235.jpg
    HF0235 Hafniumsilicid (HfSi2)-Pulver (CAS-Nr. 12401-56-8)
    sc/1685956469-normal-NN0237.jpg
    NN0237 Nano-Silizium-Pulver (Si) (CAS-Nr. 7440-21-3)
    sc/1685956453-normal-NN0238.jpg
    NN0238 Mikro-Silizium-Pulver (Si) (CAS-Nr. 7440-21-3)
    sc/1685956780-normal-OX0283.jpg
    OX0283 Nano-Siliciumoxid (SiO2)-Pulver CAS NO. 7631-86-9

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