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Stanford Advanced Materials
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  • GA2269 Gallium-Phosphid-Wafer (GaP)

    • GA2269 Gallium-Phosphid-Wafer (GaP)

    Katalog-Nr. GA2269
    Material GaP
    Dicke 400um
    Leitfähiger Typ N - Typ
    Durchmesser Ø 2"
    Größe 2'' Durchmesser x 400um-500um Dicke, 5x5x0,3-0,5mm, 10x10x0,45mm,

    Galliumphosphid-Wafer (GaP) sind ein wichtiges Halbleitermaterial, das im Vergleich zu anderen III-V-Verbundmaterialien einzigartige elektrische Eigenschaften aufweist. Stanford Advanced Materials (SAM) liefert hochwertige einkristalline GaP-Wafer (Galliumphosphid) für die elektronische und optoelektronische Industrie in Durchmessern bis zu 2 Zoll.

    Verwandte Produkte: Galliumnitrid-Wafer, Saphir-Wafer, Siliziumkarbid-Wafer, Silizium-Wafer, Galliumarsenid-Wafer, Germanium-Wafer (Ge-Wafer).

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