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Stanford Advanced Materials
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  • IN2270 Indium-Antimonid-Wafer

    • IN2270 Indium-Antimonid-Wafer

    Katalog-Nr. IN2270
    Material InSb
    Dicke 500 um - 625 um
    Leitfähiger Typ N - Typ
    Durchmesser Ø 2" Ø 3"

    Stanford Advanced Materials (SAM) bietet eine breite Palette von Verbundwafern, darunter GaAs-Wafer, GaP-Wafer, GaSb-Wafer, InAs-Wafer und InP-Wafer.

    Verwandte Produkte: Galliumnitrid-Wafer,Galliumarsenid-Wafer, Germanium-Wafer (Ge-Wafer), Galliumphosphid-Wafer, Indiumarsenid-Wafer.

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    IN2270 Indium Antimonide Wafer
    IN2270 Indium Antimonide Wafer
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    sc/1700790065-normal-indium-nitride-powder.png
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    sc/1686907132-normal-VD0692-1.jpg
    VD0692 Indiumoxid (In2O3) Verdampfungsmaterialien
    sc/1614061941-normal-Indium Arsenide Powder.jpg
    IN1704 (Ausgelaufen) Indiumarsenid (InAs) Pulver (CAS-Nr.1303-11-3)

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