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  • ST0215 Siliziumnitrid (Si₃N₄) Sputtering Target

    • ST0215 Siliziumnitrid (Si₃N₄) Sputtering Target

    Katalog-Nr. ST0215
    Zusammensetzung Si₃N₄
    CAS-Nummer 12033-89-5
    Reinheit ≥99%
    Formular Discs, oder Sonderanfertigungen
    Synonyme Siliziumnitrid-Sputtering-Target, Si3N4-Target, keramisches Sputtering-Target

    Bei Stanford Advanced Materials (SAM) stellen wir unsere Sputtertargets aus Siliziumnitrid (Si3N4) durch Heißpresssintern und Präzisionsbearbeitung her. Mit diesem Verfahren erreichen wir eine Dichte von über 99 % und eine feine Korngröße (2-5 μm) - zwei Dinge, die für eine saubere, konsistente RF-Sputterung wichtig sind. Siliziumnitrid wird gerne für harte, isolierende Schichten in Halbleitern, MEMS und optischen Beschichtungen verwendet. Wir führen Standardscheiben von 2" bis 6", und ja, wir fertigen auch kundenspezifische Größen an.

    Verwandte Produkte: Aluminiumoxid (Al2O3) Sputtering Target, Titaniumoxid (TiO2) Sputtering Target, Siliziumdioxid (SiO2) Sputtering Target

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    FAQ

    F: Welche Sputtering-Methode wird für Siliziumnitrid-Targets empfohlen?

    A: Siliziumnitrid (Si3N4) ist ein keramisches Material mit hohem elektrischem Widerstand und erfordert daher das RF- oder RF-reaktive (RF-R) Sputtern. Gleichstromsputtern ist für dieses Material wegen der Ladungsbildung auf der Zieloberfläche nicht geeignet.

    >

     

    F: Was ist der Unterschied zwischen Si3N4- und SiN-Sputtertargets?

    A: Beide Bezeichnungen beziehen sich auf Siliziumnitrid, aber die genaue Stöchiometrie kann variieren. Si3N4 gibt die stöchiometrische Verbindung an (Silizium-Stickstoff-Verhältnis von 3:4). Bei einigen Anwendungen können leicht stickstoffarme Zusammensetzungen (SiNx) verwendet werden. Bitte geben Sie bei der Bestellung Ihre Anforderungen an.

    >

    F: Müssen Siliziumnitrid-Targets mit einer Trägerplatte verbunden werden?

    A: Aufgrund der Sprödigkeit keramischer Materialien und der verwendeten HF-Leistung empfehlen wir im Allgemeinen, Si3N4-Targets mit Indium oder einem Elastomer auf eine Kupferrückplatte zu kleben. Dies verbessert das Wärmemanagement und verhindert Risse im Target während des Sputterns.

    F: Wie lange ist die Vorlaufzeit für ein kundenspezifisches Siliziumnitrid-Sputtertarget?

    A: Die typische Vorlaufzeit für kundenspezifische Größen beträgt 3-4 Wochen nach Auftragsbestätigung. Standardgrößen (2"-6") können früher geliefert werden. Kontaktieren Sie uns für den aktuellen Lagerstatus.

    F: Können Sie die typische Sputtering-Rate für Ihr Si3N4-Target angeben?

    A: Die Sputtering-Raten hängen von Ihrer spezifischen HF-Leistung, dem Druck und der Systemkonfiguration ab. Unser technisches Team kann Ihnen Referenzraten und Prozessempfehlungen auf der Grundlage Ihrer Ausrüstung geben. Bitte fügen Sie Ihrer Anfrage Ihre Systemdetails bei.

    A: Die Sputtering-Raten hängen von Ihrer spezifischen HF-Leistung, dem Druck und der Systemkonfiguration ab. Unser technisches Team kann Ihnen Referenzraten und Prozessempfehlungen auf der Grundlage Ihrer Ausrüstung geben. Bitte fügen Sie Ihrer Anfrage Ihre Systemdetails bei.

    A: Die Sputtering-Raten hängen von Ihrer spezifischen HF-Leistung, dem Druck und der Systemkonfiguration ab. Unser technisches Team kann Ihnen Referenzraten und Prozessempfehlungen auf der Grundlage Ihrer Ausrüstung geben. Bitte fügen Sie Ihrer Anfrage Ihre Systemdetails bei.

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