ST0209 Bornitrid (BN) Sputtertarget

Name: ST0209 Boron Nitride (BN) Sputtering Target
SKU: ST0209
Availability: InStock
Rating: 4.9 (166 reviews)

Katalog-Nr.	ST0209
Zusammensetzung	BN
CAS-Nummer	10043-11-5
Reinheit	≥99% (99,5% / 99,9% verfügbar)
Formular	Discs, oder Sonderanfertigungen
Synonyme	Bornitrid Sputtering Target, BN Target, Hexagonales Bornitrid Target, h-BN Target

Stanford Advanced Materials (SAM) bietet hochreine Bornitrid (BN)-Sputter-Targets (≥99%) an, die für fortschrittliche Dünnschicht-Beschichtungsprozesse entwickelt wurden. Bornitrid ist ein einzigartiges keramisches Material, das eine hohe Wärmeleitfähigkeit mit hervorragender elektrischer Isolierung kombiniert und damit ideal für Halbleiter-, Mikroelektronik- und optische Beschichtungsanwendungen ist. Unsere BN-Targets werden durch Heißpresssintern und Präzisionsbearbeitung hergestellt, um eine hohe Dichte (>1,9 g/cm³) und eine feine, gleichmäßige Kornstruktur zu erreichen, die eine gleichbleibende HF-Sputterleistung und minimale Partikelerzeugung gewährleistet. Erhältlich in Standard-Scheibengeometrien oder in kundenspezifischen Konfigurationen zur Erfüllung spezifischer Systemanforderungen.

ANFRAGE

Beschreibung

Spezifikation

SDS

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FAQ

F: Welche Sputtering-Methode eignet sich am besten für Bornitrid-Targets?

A: BN ist ein elektrischer Isolator, daher benötigen Sie RF- oder RF-Reactive (RF-R) Sputtering. Gleichstrom funktioniert nicht—Ladung baut sich auf der Oberfläche des Targets auf und es kommt zu Lichtbogenbildung oder das Plasma erlischt.

F: Warum ist die Dichte für BN-Ziele wichtig?

A: BN ist von Natur aus weich und kann porös sein, wenn es nicht richtig verarbeitet wird. Eine geringe Dichte bedeutet mehr Partikel beim Sputtern und eine uneinheitliche Filmqualität. Wir pressen heiß, um eine Dichte von 1,9 g/cm³ zu erreichen, was etwa 90 % und mehr der theoretischen Dichte entspricht— das ist der Sweet Spot für mechanische Stabilität und Sputtering-Leistung.

F: Müssen BN-Ziele auf eine Trägerplatte geklebt werden?

A: Im Allgemeinen ja, vor allem, wenn Sie mit einer vernünftigen Leistung arbeiten. BN ist spröde und kann durch thermische Schocks brechen, wenn es nicht richtig mit einer gekühlten Trägerplatte verbunden ist. Wir bieten Indium- und Elastomerbindung an. Nennen Sie uns Ihren Leistungsbereich, und wir empfehlen Ihnen das Richtige.

F: Was ist der Unterschied zwischen hexagonalem BN (h-BN) und anderen Formen?

A: h-BN ist die weiche, gleitfähige Form (ähnlich der Graphitstruktur) und wird für die meisten Sputtertargets verwendet. Es gibt auch kubisches BN (c-BN), das superhart ist (wie Diamant), aber das wird normalerweise nicht für Sputtertargets verwendet. Unsere Targets sind h-BN mit zufälliger Kornorientierung für eine gleichmäßige Zerstäubung.

F: Wie lange ist die Vorlaufzeit für eine kundenspezifische BN Scheibe?

A: Standardscheiben (2"-6") werden normalerweise innerhalb von 1-2 Wochen versandt. Kundenspezifische Formen benötigen je nach Komplexität 3-4 Wochen. Wenn Sie es eilig haben, lassen Sie es uns wissen; manchmal können wir es beschleunigen.

F: Können BN-Targets für Hochtemperaturanwendungen verwendet werden?

A: Ja, das ist eine der Stärken von BN. Es sublimiert bei 2.973 °C und ist daher bei Temperaturen stabil, die die meisten anderen Materialien zerstören würden. Vergewissern Sie sich nur, dass Ihre Verklebung der Hitze standhält—Indium schmilzt bei 157°C, so dass Sie bei wirklich hohen Temperaturen stattdessen eine mechanische Klemmung bevorzugen könnten.

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Parameter	Spezifikation
Katalognummer	ST0209
Werkstoff	Bornitrid (BN)
Reinheit	≥99% (99,5% / 99,9% auf Anfrage erhältlich)
CAS-Nummer	10043-11-5
Kristallstruktur	Hexagonal (h-BN), zufällige Orientierung
Farbe/Erscheinungsbild	Weiß bis cremefarben
Theoretische Dichte	2,1 g/cm³ (h-BN)
Tatsächliche Dichte	>1,9 g/cm³ (heiß gepresst)
Schmelzpunkt	~2.973°C (sublimiert)
Thermische Leitfähigkeit	~30 W/m-K (in der Ebene)
Sputtering-Verfahren	RF, RF-Reaktiv (RF-R)
Herstellungsverfahren	Heißpresssintern + Präzisionsbearbeitung
Korngröße	Kontrollierte, feinkörnige Struktur
Oberflächengüte	Poliert (< 1 μm Ra)
Art der Bindung	Indium, Elastomer (anpassbar)
Standard Form	Scheibe
Standard-Durchmesser	2", 3", 4", 6"
Dicke Bereich	3 mm, 6 mm (kundenspezifisch erhältlich)
Verpackung	Gereinigt und vakuumversiegelt

Parameter	Spezifikation
Katalognummer	ST0209
Werkstoff	Bornitrid (BN)
Reinheit	≥99% (99,5% / 99,9% auf Anfrage erhältlich)
CAS-Nummer	10043-11-5
Kristallstruktur	Hexagonal (h-BN), zufällige Orientierung
Farbe/Erscheinungsbild	Weiß bis cremefarben
Theoretische Dichte	2,1 g/cm³ (h-BN)
Tatsächliche Dichte	>1,9 g/cm³ (heiß gepresst)
Schmelzpunkt	~2.973°C (sublimiert)
Thermische Leitfähigkeit	~30 W/m-K (in der Ebene)
Sputtering-Verfahren	RF, RF-Reaktiv (RF-R)
Herstellungsverfahren	Heißpresssintern + Präzisionsbearbeitung
Korngröße	Kontrollierte, feinkörnige Struktur
Oberflächengüte	Poliert (< 1 μm Ra)
Art der Bindung	Indium, Elastomer (anpassbar)
Standard Form	Scheibe
Standard-Durchmesser	2", 3", 4", 6"
Dicke Bereich	3 mm, 6 mm (kundenspezifisch erhältlich)
Verpackung	Gereinigt und vakuumversiegelt

ST0209 Bornitrid (BN) Sputtertarget

Boron-Nitrid (BN) Sputtering Target Beschreibung

Spezifikation für Bornitrid (BN) Sputtertargets

Bornitrid (BN) Sputtering Target Anwendungen

Bornitrid (BN) Sputtering-Target-Packung

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SDS

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