ST6596 Aluminium-Gallium-Antimonid-Target (AlGaSb)

Aluminium-Gallium-Antimonid-Target (AlGaSb) Beschreibung

Aluminiumgalliumantimonid (AlGaSb) ist ein ternäres III-V-Verbindungsmaterial, das eine Kombination wünschenswerter elektronischer, struktureller und thermischer Eigenschaften aufweist, wodurch es sich für fortschrittliche Dünnschichtanwendungen eignet. Seine Kristallstruktur ist typischerweise Zinkblende mit guter Gitterkompatibilität zu anderen III-V-Halbleitern wie GaSb oder InAs, was eine präzise Integration in Heterostrukturbauelemente ermöglicht. Die Bandlücke des Materials kann durch Variation des Verhältnisses von Al zu Ga eingestellt werden und liegt im Allgemeinen im Bereich von 0,5-1,6 eV, was eine flexible Abstimmung der elektrischen und optischen Eigenschaften auf die spezifischen Anforderungen der Bauelemente ermöglicht. AlGaSb besitzt außerdem eine relativ hohe Ladungsträgerbeweglichkeit und eine geringe effektive Masse, wodurch es sich gut für elektronische Anwendungen mit hoher Geschwindigkeit und geringem Stromverbrauch eignet. Das Material weist eine gute thermische Stabilität und chemische Inertheit in kontrollierten Umgebungen auf, und wenn es als Sputtertarget hergestellt wird, kann es eine hohe Dichte und gleichmäßige Kornverteilung erreichen, was eine gleichmäßige Abscheidungsleistung gewährleistet. Sein spezifischer Widerstand, der in der Regel halbleitend ist, hängt von der Zusammensetzung und den Dotierungsbedingungen ab.

Aluminium-Gallium-Antimonid-Target (AlGaSb) Spezifikation

Eigenschaften

*Dieobigen Produktinformationen beruhen auf theoretischen Daten. Für spezifische Anforderungen und detaillierte Anfragen, kontaktieren Sie uns bitte.

Größe: Kundenspezifisch

Aluminium-Gallium-Antimonid-Target (AlGaSb) Anwendungen

Aluminium-Gallium-Antimonid (AlGaSb)-Targets werden in erster Linie für die Herstellung moderner optoelektronischer und elektronischer Hochgeschwindigkeitsgeräte verwendet. Seine abstimmbare Bandlücke und seine Fähigkeit zur Gitteranpassung machen es ideal für Infrarotdetektoren, thermophotovoltaische Zellen, Laserdioden und Heteroübergang-Feldeffekttransistoren (HFETs). AlGaSb wird besonders in optoelektronischen Systemen im mittleren Infrarotbereich und in Quantentopfstrukturen geschätzt, bei denen eine präzise Kontrolle der Bandausrichtung und der Qualität der Grenzflächen entscheidend ist. Es wird auch in der Forschung und Entwicklung von Halbleitern der nächsten Generation für Luft- und Raumfahrt, Verteidigung und Kommunikationstechnologien eingesetzt.

Verpackung von Aluminium-Gallium-Antimonid-Targets (AlGaSb)

Unsere Produkte werden in kundenspezifischen Kartons verschiedener Größen verpackt, die sich nach den Abmessungen des Materials richten. Kleine Artikel werden sicher in PP-Kartons verpackt, während größere Artikel in maßgefertigte Holzkisten gelegt werden. Wir achten auf die strikte Einhaltung der kundenspezifischen Verpackungsvorschriften und die Verwendung geeigneter Polstermaterialien, um einen optimalen Schutz während des Transports zu gewährleisten.

Verpackung: Karton, Holzkiste, oder kundenspezifisch.

Herstellungsprozess

1. Kurzer Ablauf des Herstellungsprozesses

2. Prüfverfahren

1. Analyse der chemischen Zusammensetzung - Verifiziert mit Techniken wie GDMS oder XRF, um die Einhaltung der Reinheitsanforderungen zu gewährleisten.
2. Prüfung der mechanischen Eigenschaften - Umfasst Tests der Zugfestigkeit, Streckgrenze und Dehnung zur Bewertung der Materialleistung.
3. Maßprüfung - Misst Dicke, Breite und Länge, um die Einhaltung der vorgegebenen Toleranzen zu gewährleisten.
4. Prüfung der Oberflächenqualität - Überprüfung auf Defekte wie Kratzer, Risse oder Einschlüsse durch Sicht- und Ultraschallprüfung.
5. Härteprüfung - Bestimmt die Materialhärte zur Bestätigung der Gleichmäßigkeit und mechanischen Zuverlässigkeit.

Häufig gestellte Fragen zu Aluminium-Gallium-Antimonid-Targets (AlGaSb)

Q1: Welche Abscheidungstechniken sind mit AlGaSb-Targets kompatibel?

A1: AlGaSb-Targets werden in der Regel in Sputter- und Molekularstrahlepitaxieanlagen (MBE) verwendet. Die richtigen Kammerbedingungen und die Anpassung des Substrats sind entscheidend für hochwertige Dünnschichten.

F2: Wie sollten AlGaSb-Targets gelagert werden?

A2: Sie sollten in einer sauberen, trockenen und vakuumversiegelten Umgebung gelagert werden, um Oberflächenoxidation und Verunreinigung zu vermeiden. Für den Transport wird die Verwendung einer Inertgasverpackung empfohlen.

F3: Kann SAM kundenspezifische Größen und Formen liefern?

A3: Ja, Stanford Advanced Materials (SAM) bietet kundenspezifische Abmessungen, Klebedienstleistungen und Konfigurationen (planar, rotierend) für eine Vielzahl von Beschichtungssystemen an.

Leistungsvergleichstabelle mit Konkurrenzprodukten

Aluminium-Gallium-Antimonid-Target (AlGaSb) im Vergleich zu konkurrierenden Materialien: Leistungsvergleich

Zugehörige Informationen

1. Rohmaterialien - Aluminium (Al)

Aluminium ist ein leichtes, silbrig-weißes Metall mit der Ordnungszahl 13. Es ist bekannt für seine hervorragende Korrosionsbeständigkeit, seine hohe thermische und elektrische Leitfähigkeit und seine geringe Dichte (2,7 g/cm³), wodurch es sich ideal für Anwendungen eignet, die strukturelle Integrität bei minimalem Gewicht erfordern. Aluminium bildet eine natürliche Oxidschicht, die es vor weiterer Oxidation schützt, und ist hochgradig reflektierend und dehnbar, wodurch es sich leicht verarbeiten und mit anderen Metallen legieren lässt.

2. Rohstoffe - Gallium (Ga)

Gallium ist ein weiches, silbriges Metall mit einem Schmelzpunkt von etwa 29,8 °C, das heißt, es kann in der Hand schmelzen. Aufgrund seiner hervorragenden elektronischen Eigenschaften wird es häufig in Halbleitern, in der Optoelektronik und in Verbundwerkstoffen verwendet. Gallium bildet stabile Verbindungen mit Elementen wie Arsen (GaAs), Nitrid (GaN) und Antimon (GaSb), die in elektronischen Hochgeschwindigkeits- und Hochfrequenzgeräten unerlässlich sind. Die Fähigkeit von Gallium, mit anderen Metallen zu legieren, und seine Rolle in der Photovoltaik- und LED-Technologie machen es zu einem wertvollen Material in der modernen Elektronik.

3. Rohstoffe - Antimon (Sb)

Antimon ist ein glänzendes, sprödes Metalloid, das in großem Umfang in Halbleitermaterialien, Flammschutzmitteln und Legierungen verwendet wird. Es steigert die Härte und Festigkeit von Metallen und bildet wichtige halbleitende Verbindungen wie Antimonide. In der Dünnschichttechnologie werden Antimonverbindungen wie GaSb und InSb wegen ihrer hervorragenden thermoelektrischen und Infrarot-Detektionseigenschaften geschätzt. Die einzigartige Fähigkeit von Antimon, die elektrische Leitfähigkeit von Materialien zu verändern, macht es für fortschrittliche Elektronik- und Energieanwendungen unverzichtbar.