Beschreibung:
Silicium ist ein Metalloid und weist die typischen Eigenschaften von Metallen und Nichtmetallen auf. Es ist äußerst inert und unlöslich in Wasser und Säuren. Es kann jedoch durch heiße alkalische Laugen in Silikate aufgelöst werden. Reines Silicium bildet dunkelgraue, metallisch glänzende Kristalle. Silizium hat eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit, die bei reinem Silizium mit einer extrem niedrigen elektrischen Leitfähigkeit einhergeht. Durch die Legierung mit Aluminium wird die Festigkeit erhöht und das Gewicht reduziert.
Hochreine Aufdampfmaterialien spielen bei Abscheidungsprozessen eine große Rolle, um eine hohe Qualität der abgeschiedenen Schicht zu gewährleisten. Stanford Advanced Materials (SAM) hat sich auf die Herstellung von Siliziumaufdampfmaterialien mit einem Reinheitsgrad von bis zu 99,999 % spezialisiert und wendet Qualitätssicherungsprozesse an, um die Zuverlässigkeit der Produkte zu gewährleisten.
Spezifikation
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Werkstoff
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Silizium
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Atomares Gewicht
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28.0855
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Farbe/Erscheinungsbild
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Dunkelgrau mit bläulichem Schimmer, halbmetallisch
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Thermische Leitfähigkeit
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150 W/m.K
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Schmelzpunkt (°C)
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1,410
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Gesamtwiderstand
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0,005-0,020 OHM-CM
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Wärmeausdehnungskoeffizient
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2,6 x 10-6/K
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Theoretische Dichte (g/cc)
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2.32
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Z-Verhältnis
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0.712
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Temp. (°C) für gegebenen Vap. Druck. (Torr)
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10^-8: 992 10^-6: 1,147 10^-4: 1,337
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Anwendungen
1. Halbleiterbauelemente: P-Typ-Silizium-Verdampfungsmaterialien werden häufig bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen verwendet. Sie ermöglichen die Abscheidung von Siliziumschichten mit einer bestimmten Dotierstoffkonzentration, die dem Material die gewünschten elektrischen Eigenschaften verleiht. Diese dotierten Siliziumschichten sind in Transistoren, Dioden und anderen elektronischen Bauteilen von entscheidender Bedeutung, da sie den Stromfluss steuern und die Funktionalität des Bauteils ermöglichen.
2. Herstellung von Solarzellen: P-Typ-Silizium-Verdampfungsmaterialien werden auch für die Herstellung von Solarzellen verwendet. Solarzellen wandeln Sonnenlicht in Strom um, und die Verwendung von P-Typ-Silizium ermöglicht die Herstellung effizienter photovoltaischer Strukturen. Die Abscheidung von P-Typ-Siliziumschichten auf Substraten bildet die Grundlage für Solarzellen, die aus Sonnenlicht Strom erzeugen.
3. Integrierte Schaltkreise (ICs): Bei der Herstellung von integrierten Schaltkreisen spielen P-Typ-Siliciumaufdampfmaterialien eine wichtige Rolle. Diese Materialien ermöglichen die Abscheidung von Siliziumschichten mit präzisen Dotierstoffkonzentrationen, die für das ordnungsgemäße Funktionieren von Transistoren und anderen Komponenten in den ICs entscheidend sind. Die entstehenden Siliziumschichten tragen zur Gesamtleistung und Zuverlässigkeit der Schaltungen bei.
4. Dünnschichtelektronik: Unter Dünnschichtelektronik versteht man elektronische Geräte und Systeme, die aus dünnen Materialschichten aufgebaut sind. P-Typ-Siliziumverdampfungsmaterialien werden verwendet, um dünne Siliziumschichten auf verschiedenen Substraten abzuscheiden, was die Herstellung von miniaturisierten elektronischen Komponenten mit einzigartigen Eigenschaften ermöglicht. Diese dünnen Schichten können in Sensoren, Displays und anderen elektronischen Anwendungen eingesetzt werden, bei denen Kompaktheit und Flexibilität gefragt sind.
5. Forschung und Entwicklung: Aufgedampftes Silizium vom P-Typ wird auch in der Forschung und Entwicklung eingesetzt, insbesondere im Bereich der Materialwissenschaft und Elektronik. Wissenschaftler und Ingenieure nutzen diese Materialien zur Erforschung neuer Gerätestrukturen, zur Verbesserung der Leistung und zur Entwicklung innovativer Anwendungen.
Verpackung:
Unsere Verdampfungsmaterialien werden sorgfältig behandelt, um Schäden während der Lagerung und des Transports zu vermeiden und die Qualität unserer Produkte in ihrem ursprünglichen Zustand zu erhalten.
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