SC0957 Siliziumkarbid-Tabletts (SiC-Tabletts)

Katalog-Nr.	SC0957
Größe	<40cm (15")
Material	Graphit, mit CVD-SiC-Beschichtung
Reinheit	>99,99% für SiC-Beschichtung
Oberfläche	Keine Porosität
Dicke der Beschichtung	50~500μm

Stanford Advanced Materials (SAM) ist ein zuverlässiger Lieferant und Hersteller von hochwertigem gesintertem SiC, reaktionsgebundenem SiC und rekristallisiertem SiC. Wir bieten hochreine Siliziumkarbid-Tabletts zu wettbewerbsfähigen Preisen. Kundenspezifische Anpassungen sind auf Anfrage möglich.

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SC0957 Silicon Carbide Trays (SiC Trays)

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	Rekristallisiertes SiC	Gesintertes SiC	Reaktionsgebundenes SiC
Reinheit von Siliziumkarbid	99.5%	98%	>88%
Max. Arbeitstemperatur (`C)	1650	1550	1300
Schüttdichte (g/cm3)	2.7	3.1	>3
Erscheinungsbild Porosität	<15%	2.5	0.1
Biegefestigkeit (MPa)	110	400	380
Druckfestigkeit (MPa)	>300	2200	2100
Thermische Ausdehnung (10^-6/`C)	4.6 (1200`C)	4.0 (<500`C)	4.4 (<500`C)
Wärmeleitfähigkeit (W/m.K)	35~36	110	65
Wichtigste Eigenschaften	Hohe Temperaturbeständigkeit Hohe Reinheit	Bruchzähigkeit	Chemische Beständigkeit

	Rekristallisiertes SiC	Gesintertes SiC	Reaktionsgebundenes SiC
Reinheit von Siliziumkarbid	99.5%	98%	>88%
Max. Arbeitstemperatur (`C)	1650	1550	1300
Schüttdichte (g/cm3)	2.7	3.1	>3
Erscheinungsbild Porosität	<15%	2.5	0.1
Biegefestigkeit (MPa)	110	400	380
Druckfestigkeit (MPa)	>300	2200	2100
Thermische Ausdehnung (10^-6/`C)	4.6 (1200`C)	4.0 (<500`C)	4.4 (<500`C)
Wärmeleitfähigkeit (W/m.K)	35~36	110	65
Wichtigste Eigenschaften	Hohe Temperaturbeständigkeit Hohe Reinheit	Bruchzähigkeit	Chemische Beständigkeit

SC0957 Siliziumkarbid-Tabletts (SiC-Tabletts)

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