SC0897 Siliziumkarbid-Düse (SiC-Düse)

Katalog-Nr.	SC0897
Material	SiC-Keramik
Reinheit	97%~99%
Dichte	3,05~3,15 g/cm3
Erscheinungsbild	Schwarz
Schmelzpunkt	2.730° C (4.946° F) (zersetzt sich)
Betriebstemperatur	1400℃

Siliziumkarbiddüsen haben eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit, eine geringe Wärmeausdehnung und sind resistent gegen Säurekorrosion. Stanford Advanced Materials (SAM) ist ein zuverlässiger Lieferant und Hersteller von hochwertigem gesintertem SiC, reaktionsgebundenem SiC und rekristallisiertem SiC. Kundenspezifische Anpassungen sind auf Anfrage möglich.

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	Reinheit von Siliziumkarbid	Max. Arbeitstemperatur (`C)	Schüttdichte (g/cm3)	Erscheinungsbild Porosität	Biegefestigkeit (MPa)	Druckfestigkeit (MPa)	Thermische Ausdehnung (10^-6/`C)	Wärmeleitfähigkeit (W/m.K)	Wichtigste Merkmale
Rekristallisiertes SiC	99.50%	1650	2.7	<15%	110	>300	4.6 (1200`C)	35~36	Hohe Temperaturbeständigkeit. Hohe Reinheit
Gesintertes SiC	98%	1550	3.1	2.5	400	2200	4.0 (<500`C)	110	Bruchzähigkeit
Reaktionsgebundenes SiC	>88%	1300	>3	0.1	380	2100	4.4 (<500`C)	65	Chemische Beständigkeit

	Reinheit von Siliziumkarbid	Max. Arbeitstemperatur (`C)	Schüttdichte (g/cm3)	Erscheinungsbild Porosität	Biegefestigkeit (MPa)	Druckfestigkeit (MPa)	Thermische Ausdehnung (10^-6/`C)	Wärmeleitfähigkeit (W/m.K)	Wichtigste Merkmale
Rekristallisiertes SiC	99.50%	1650	2.7	<15%	110	>300	4.6 (1200`C)	35~36	Hohe Temperaturbeständigkeit. Hohe Reinheit
Gesintertes SiC	98%	1550	3.1	2.5	400	2200	4.0 (<500`C)	110	Bruchzähigkeit
Reaktionsgebundenes SiC	>88%	1300	>3	0.1	380	2100	4.4 (<500`C)	65	Chemische Beständigkeit

SC0897 Siliziumkarbid-Düse (SiC-Düse)

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