ST6843 Silizium-Drehscheiben, Si-Target

Silizium-Rotations-Targets Beschreibung

Silizium-Rotationstargets sind für hohe Abscheideraten, verlängerte Sputterlebensdauer und gleichmäßige Dünnfilmbeschichtungen ausgelegt. Im Vergleich zu planaren Targets bieten Rotationstargets eine höhere Materialausnutzung und geringere Ausfallzeiten aufgrund einer längeren Betriebsdauer. Diese Targets werden in der Regel aus ultrahochreinem Silizium (z. B. 99,999 %) hergestellt und können legiert oder dotiert werden, um den elektrischen Widerstand für spezifische Abscheidungsanforderungen anzupassen.

Hauptmerkmale:

Hohe Reinheit (bis zu 5N oder 6N): Gewährleistet eine geringe Verunreinigung und hochwertige Schichteigenschaften.

Lange Lebensdauer des Targets: Das rotierende Design ermöglicht einen längeren Dauerbetrieb und eine bessere Materialausnutzung.

Hervorragende Schichtgleichmäßigkeit: Ideal für großflächige Beschichtungen durch gleichmäßige Abscheidungsraten.

Geringe Partikelbildung: Die Präzisionsfertigung minimiert Defekte wie Lichtbögen oder Partikel.

Anpassbare Widerstandsfähigkeit: Erhältlich in intrinsischen oder dotierten Varianten, um Prozessanforderungen zu erfüllen.

Silizium-Rotationstargets Anwendungen

- Flachbildschirme(FPD): Als Siliziumquelle für Dünnschichttransistorschichten (TFT).

- Halbleiter: Verwendung in Abscheidungsprozessen für integrierte Schaltungen und Mikroelektronik.

- Photovoltaik: Schlüsselmaterial für die Abscheidung von Siliziumschichten in Dünnschicht-Solarzellen.

- OptischeBeschichtungen: Anwendung in Antireflexions- oder Schutzschichten für Glas und Linsen.

Verpackung von Silizium-Rotations-Targets

Unsere Produkte werden in kundenspezifischen Kartons verschiedener Größen verpackt, die sich nach den Abmessungen des Materials richten. Kleine Artikel werden sicher in PP-Kartons verpackt, während größere Artikel in maßgefertigte Holzkisten gelegt werden. Wir achten auf die strikte Einhaltung der kundenspezifischen Verpackungsvorschriften und die Verwendung geeigneter Polstermaterialien, um einen optimalen Schutz während des Transports zu gewährleisten.

Verpackung: Karton, Holzkiste, Papierfass, Eisenfass oder kundenspezifisch.

Bitte sehen Sie sich die Verpackungsdetails zu Ihrer Information an.

FAQs zu Silizium-Drehscheiben

Q1. Was ist ein Silizium-Rotations-Target?

Ein Silizium-Rotations-Target ist ein zylindrisches Sputtertarget aus hochreinem Silizium, das in rotierenden Magnetron-Sputteranlagen zur Abscheidung dünner Schichten auf Substraten wie Glas, Halbleitern und Solarzellen verwendet wird.

Q2. Welche Vorteile haben rotierende Targets gegenüber planaren Targets?

Längere Lebensdauer aufgrund gleichmäßigerer Erosion.

Höhere Materialausnutzung, oft über 80-90 %.

Bessere Schichtgleichmäßigkeit auf großflächigen Substraten.

Geringere Ausfallzeiten durch weniger Targetwechsel.

Q3. Was sind die Hauptanwendungen von Silizium-Rotations-Targets?

Flachbildschirme (FPD)

Halbleitergeräte

Dünnschicht-Solarzellen

Optische Beschichtungen

Fotovoltaik- und Mikroelektronikindustrie

Herstellungsprozess

Probleme mit Silizium-Sputtering-Targets:

1. das Gießen von Polysiliziumblöcken :

Der Prozess beginnt mit dem Gießen hochwertiger Polysiliziumblöcke, die die grundlegenden Materialeigenschaften und die strukturelle Integrität gewährleisten, die für Sputtering-Anwendungen erforderlich sind.

2. quadrieren und formen:

Der gegossene Barren wird dann in Blöcke mit geeigneten Abmessungen geschnitten und geformt, um das Material für die weitere Präzisionsbearbeitung vorzubereiten.

3) Bearbeitung der Innenbohrung :

Eine zentrale Bohrung wird sorgfältig und mit hoher Maßgenauigkeit gebohrt. Die Präzision dieser Innenbohrung ist entscheidend für die ordnungsgemäße Montage und Ausrichtung in rotierenden Sputtering-Systemen.

4 Schleifen des Außendurchmessers :

Die Außenfläche wird geschliffen, um eine hervorragende Rundheit, eine glatte Oberfläche und enge Maßtoleranzen zu erzielen. Dieser Schritt gewährleistet die Stabilität des Targets bei Hochgeschwindigkeitsrotation und trägt zur gleichmäßigen Schichtabscheidung während des Sputterprozesses bei.