ST0947 Indiumarsenid-Sputtertarget, InAs

Indium Arsenid Sputtering Target Beschreibung

Das Indiumarsenid-Sputtertarget, InAs, wurde für das Präzisionssputtern und die Dünnschichtabscheidung in Halbleiter- und optoelektronischen Anwendungen entwickelt. Das unter strengen Qualitätskontrollen hergestellte Target bietet gleichbleibende Leistung bei hoher Reinheit (≥99%). Seine robuste thermische Stabilität mit einem Schmelzpunkt von 942 °C und einer Dichte von 5,67 g/cm³ gewährleisten einen zuverlässigen Betrieb in anspruchsvollen industriellen Umgebungen.

Indiumarsenid Sputtering Target Anwendungen

- Halbleiterherstellung: Ideal für die Abscheidung dünner Schichten in modernen Halbleitergeräten.
- Optoelektronik: Für die Herstellung von Fotodetektoren, Solarzellen und anderen optoelektronischen Komponenten.
- Forschung und Entwicklung: Ein bevorzugtes Material für Versuchsaufbauten und die Pilotproduktion in materialwissenschaftlichen Labors.
- Präzisionselektronik: Unverzichtbar für die Herstellung von Komponenten in elektronischen Hochleistungsschaltungen.

Indium Arsenid Sputtering Target Packing

Unsere Indiumarsenid-Sputter-Targets werden sorgfältig verpackt, um ihre hohe Reinheit und Leistungsfähigkeit zu erhalten. Es sind kundenspezifische Verpackungslösungen erhältlich, einschließlich vakuumversiegelter Verpackungen, um Verunreinigungen zu minimieren und sicherzustellen, dass das Produkt während der Lagerung und des Transports in einwandfreiem Zustand bleibt.

Häufig gestellte Fragen

F: Für welche Anwendungen wird das Indiumarsenid-Sputter-Target (InAs) üblicherweise verwendet?
A: Es wird in erster Linie für die Abscheidung von Dünnschichten in der Halbleiterherstellung, für optoelektronische Geräte und in der modernen Materialforschung verwendet.

F: Welchen Einfluss hat die hohe Reinheit (≥99%) von InAs auf seine Leistung?
A: Der hohe Reinheitsgrad gewährleistet minimale Verunreinigungen, was zu einem gleichmäßigen Sputterverhalten und optimalen elektrischen und optischen Eigenschaften des Endprodukts führt.

F: Kann das Sputtertarget individuell geformt werden?
A: Ja, das Target kann in verschiedenen Formen hergestellt werden, z. B. in Form von Scheiben oder maßgeschneiderten Konfigurationen, um spezifische Anwendungsanforderungen zu erfüllen.

F: Welche Bedeutung hat der Schmelzpunkt von 942 °C für dieses Material?
A: Der Schmelzpunkt zeigt die thermische Stabilität von InAs an und stellt sicher, dass es seine Integrität bei Hochtemperaturverarbeitungsprozessen ohne Beeinträchtigung beibehält.

F: Wie sollte das Indiumarsenid Sputtering Target, InAs, gelagert und gehandhabt werden?
A: Es sollte mit Sorgfalt in einer kontaminationsfreien Umgebung gehandhabt und in einer vakuumversiegelten oder ähnlich schützenden Verpackung aufbewahrt werden, um seine hohe Reinheit und Leistung zu erhalten.