(Eingestellt) ST0901 Kobalt-Chrom-Eisen-Nickel-Aluminium-Legierung mit hoher Entropie (HEA) Sputtering Target, Co/Cr/Fe/Ni/Al

Kobalt-Chrom-Eisen-Nickel-Aluminium HEA Sputtering Target Beschreibung

Das Kobalt-Chrom-Eisen-Nickel-Aluminium-Sputtertarget (HEA) wurde für Präzisionsverfahren zur Dünnschichtabscheidung entwickelt. Das mit einem Reinheitsgrad von ≥99% hergestellte Target ist in Standard-Scheibenform erhältlich oder kann kundenspezifisch für spezifische Anwendungsanforderungen hergestellt werden. Seine Hochleistungsbindung mit Indium gewährleistet einen zuverlässigen elektrischen Kontakt während des Sputterns und macht es zu einer ausgezeichneten Wahl für fortschrittliche industrielle Anwendungen in der Halbleiterherstellung und Mikroelektronik. Dieses Produkt wurde mit Blick auf Innovation entwickelt und bietet konstante Leistung in anspruchsvollen Umgebungen unter Einhaltung höchster Qualitätsstandards.

Kobalt-Chrom-Eisen-Nickel-Aluminium HEA Sputtering Target Anwendungen

- Dünnschichtabscheidung: Ideal für die Halbleiterherstellung, die Beschichtung von Solarzellen und die Herstellung von mikroelektronischen Geräten.
- Mikroelektronik: Für die Herstellung von Anzeigetafeln, integrierten Schaltkreisen und fortschrittlichen Sensorgeräten.
- Forschung und Entwicklung: Geeignet für Versuchsaufbauten und die Entwicklung neuer Dünnschichtanwendungen.
- Industrielle Beschichtungen: Bietet eine zuverlässige Materialbasis für Schutz- oder Funktionsbeschichtungen in verschiedenen High-Tech-Industrien.

Kobalt-Chrom-Eisen-Nickel-Aluminium-HEA-Sputtertarget-Verpackung

Unsere Sputtertargets werden sorgfältig verpackt, um ihren einwandfreien Zustand während des Transports zu erhalten. Die Verpackung ist auf die Anforderungen des Kunden zugeschnitten und bietet Optionen für Vakuumversiegelung und kundenspezifische Behälterdesigns, um eine optimale Konservierung und einfache Handhabung zu gewährleisten.

Häufig gestellte Fragen

F: In welchen Branchen wird dieses Sputtertarget üblicherweise verwendet?
A: Es wird üblicherweise in der Halbleiterherstellung, der Solarzellenproduktion, der Mikroelektronik und in fortgeschrittenen Forschungsanwendungen eingesetzt.

F: Wie hoch ist der Reinheitsgrad dieses HEA-Sputtertargets?
A: Das Target bietet einen hohen Reinheitsgrad von ≥99%, der eine hervorragende Leistung bei Sputterprozessen gewährleistet.

F: Kann die Form des Sputtertargets individuell angepasst werden?
A: Ja, die Targets sind in Standard-Scheibenformen erhältlich oder können nach Maß gefertigt werden, um spezifischen Anwendungsanforderungen zu entsprechen.

F: Welches Bindematerial wird in diesen Targets verwendet?
A: Als Bindematerial wird Indium verwendet, um einen optimalen elektrischen Kontakt während des Sputtering-Prozesses zu gewährleisten.

F: Wie kann ich Verpackungsoptionen für meine Bestellung erhalten?
A: Verpackungsoptionen sind anpassbar; bitte wenden Sie sich an unser Support-Team, um Ihre spezifischen Versand- und Bearbeitungsanforderungen zu besprechen.