(Eingestellt) ST0886 Germanium-Antimon-Tellurid-Sputtering-Target, GST

Germanium-Antimontellurid-Sputtertarget, GST Beschreibung

Das Germanium-Antimon-Tellurid-Sputter-Target, GST, wird mit Präzision hergestellt, um eine hervorragende Leistung bei Sputter- und Dünnschichtabscheidungsanwendungen zu gewährleisten. Unter Verwendung von hochwertigem Ge₂Sb₂Te₅ mit ≥99% Reinheit ist dieses Sputtertarget in Scheibenform oder in kundenspezifischen Formen erhältlich, um verschiedenen industriellen Anforderungen gerecht zu werden. Seine robuste Zusammensetzung und kontrollierte Dichte machen es ideal für Anwendungen in Halbleiterspeichergeräten und Phasenwechseltechnologien. Das von Stanford Advanced Materials entwickelte Produkt zeichnet sich durch hohe Zuverlässigkeit und Beständigkeit unter anspruchsvollen Verarbeitungsbedingungen aus.

Germanium-Antimon-Tellurid Sputtering Target, GST Anwendungen

- Halbleiterbauelemente: Wird bei der Herstellung von Speicherelementen wie Phase-Change Random Access Memory (PCRAM) und anderen nichtflüchtigen Speichergeräten verwendet.
- Dünnschichtabscheidung: Ideal für Sputtering-Prozesse zur Abscheidung hochwertiger Dünnschichten in elektronischen und optischen Anwendungen.
- Nano-Fertigung: Geeignet für fortgeschrittene Forschung und Entwicklung in den Bereichen Nanotechnologie und mikroelektromechanische Systeme (MEMS).
- Forschung und Entwicklung: Wird für materialwissenschaftliche Studien und Innovationen für elektronische Komponenten der nächsten Generation eingesetzt.

Germanium-Antimon-Tellurid Sputtering Target, GST-Verpackung

Die Produkte werden sorgfältig verpackt, um die Integrität und Leistung des Targetmaterials während des Versands und der Lagerung zu erhalten.
- Kundenspezifische Verpackungsoptionen sind auf Anfrage erhältlich, um optimalen Schutz für Präzisionsbauteile zu gewährleisten.

Häufig gestellte Fragen

F: Wie ist die chemische Zusammensetzung des GST-Sputtertargets?
A: Die Zusammensetzung ist Ge₂Sb₂Te₅, was eine hohe Reinheit und maßgeschneiderte Leistung für fortschrittliche Sputtering-Anwendungen gewährleistet.

F: Welche Formen sind für dieses Sputtertarget erhältlich?
A: Das Target ist in Form einer Standardscheibe erhältlich oder kann nach spezifischen Anforderungen maßgeschneidert werden.

F: Was sind die Hauptanwendungen des GST-Sputtertargets?
A: Es wird hauptsächlich bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen, bei der Dünnschichtabscheidung, bei der Nanofabrikation und bei verschiedenen F&E-Anwendungen eingesetzt.

F: Wie wirkt sich die Art der Bindung (Indium) auf die Leistung des Sputtertargets aus?
A: Die Indiumbindung gewährleistet einen ausgezeichneten thermischen und elektrischen Kontakt während des Sputterprozesses, was für die präzise Abscheidung von Dünnschichten entscheidend ist.

F: Ist der Schmelzpunkt (~600°C) ein limitierender Faktor für bestimmte Anwendungen?
A: Der Schmelzpunkt von ~600°C ist typisch für dieses Material und eignet sich für die meisten Sputter- und Abscheidungsprozesse in der Halbleiter- und Nanofabrikationsindustrie.