ST0302 Bismutselenid (Bi2Se3) Sputtering-Target

Bismutselenid (Bi2Se3) Sputtering Target Beschreibung

Das Bismutselenid (Bi2Se3) Sputtertarget wurde für Präzision bei modernen Sputteranwendungen entwickelt. Hergestellt mit einer Reinheit von ≥99%, gewährleistet dieses Target eine gleichmäßige Abscheidung und zuverlässige Leistung in RF-Sputtersystemen. Dank seines Targetdesigns, das sowohl in Form einer Standardscheibe als auch in anpassbaren Formen erhältlich ist, eignet es sich für verschiedene industrielle Anwendungen wie die Halbleiterherstellung, die Thermoelektrik und die Forschung an Quantenmaterialien. Mit einem Schmelzpunkt von 710℃ und einer Dichte von 6,82 g/cm³ garantiert das Target gleichbleibende Leistung und Haltbarkeit auch unter anspruchsvollen Verarbeitungsbedingungen.

Bismutselenid (Bi2Se3) Sputtering Target Anwendungen

- Dünnschichtabscheidung: Ideal für die Herstellung hochwertiger, gleichmäßiger Schichten in Halbleiter- und optoelektronischen Geräten.
- Thermoelektrische Geräte: Für die Herstellung von Geräten, die Temperaturunterschiede in elektrische Energie umwandeln.
- Quantenmaterialforschung: Unterstützt experimentelle Anwendungen in der modernen Materialwissenschaft und Nanotechnologie.
- Oberflächentechnik: Präzise Abscheidung von funktionellen Beschichtungen und Schutzschichten in verschiedenen Industriewerkzeugen.

Bismutselenid (Bi2Se3) Sputtering Target Packing

Unsere Bismutselenid-Sputtertargets werden mit größter Sorgfalt verpackt, um ihre Qualität zu erhalten. Sie werden in antistatischen, feuchtigkeitsbeständigen Verpackungslösungen gesichert und in der Regel in vakuumversiegelten Behältern verschickt. Die Verpackungskonfigurationen können auf die spezifischen Kundenanforderungen zugeschnitten werden.

Häufig gestellte Fragen

F: Was sind die Hauptanwendungen des Bismutselenid (Bi2Se3) Sputtertargets?
A: Es wird hauptsächlich für die Abscheidung von Dünnschichten in der Halbleiterherstellung, für thermoelektrische Geräte, in der Quantenmaterialforschung und in der Oberflächentechnik verwendet.

F: Welche Sputtermethode wird für dieses Target empfohlen?
A: Um eine optimale Leistung mit diesem Target zu erzielen, wird das HF-Sputtern empfohlen.

F: Wie hoch ist der Reinheitsgrad dieses Sputtertargets?
A: Das Target wird mit einem Reinheitsgrad von ≥99% hergestellt, was eine hohe Konsistenz bei Abscheidungsprozessen gewährleistet.

F: Kann die Form und Größe des Sputtertargets individuell angepasst werden?
A: Ja, das Target ist in Form einer Standard-Scheibe erhältlich oder kann für spezifische Anforderungen maßgeschneidert werden.

F: Welchen Nutzen haben die Indium- und Elastomerbindungen für das Sputtering-Verfahren?
A: Diese Bindungen verbessern die thermische und mechanische Stabilität während des Sputterns und gewährleisten eine effiziente Wärmeableitung und gleichbleibende Leistung während des gesamten Prozesses.