(Eingestellt) ST0300 Titanborid (TiB2) Sputtertarget

Titanborid (TiB2) Sputtering Target Beschreibung

Das Titanborid (TiB2) Sputtering Target wurde mit Hilfe modernster Fertigungstechniken entwickelt, um eine überragende Leistung in einer Vielzahl von industriellen Anwendungen zu erzielen. Mit einer Reinheit von ≥99% und robusten physikalischen Eigenschaften gewährleistet dieses Target eine gleichmäßige Abscheidung und eine lange Lebensdauer in Hochtemperaturumgebungen. Seine ausgezeichneten thermischen und elektrischen Eigenschaften machen es zum Material der Wahl für fortschrittliche Sputtering-Anwendungen in der Halbleiterverarbeitung, für Schutzbeschichtungen und andere kritische Hochleistungsbereiche.

Anwendungen von Titanborid (TiB2) als Sputtertarget

- Halbleiter-Dünnschichten: Perfekt für die Abscheidung gleichmäßiger leitender und schützender Schichten.
- Fortschrittliche Beschichtungen: Ideal für das RF-Sputtern zur Herstellung verschleißfester Oberflächen.
- Komponenten für die Luft- und Raumfahrt: Geeignet für Hochtemperaturanwendungen, die haltbare Materialien erfordern.
- Elektronische Geräte: Gewährleistet zuverlässige Leistung bei der Herstellung von mikroelektronischen Komponenten.

Titanborid (TiB2) Sputtering Target Packing

Unser Titanborid-Sputtering-Target wird sorgfältig verpackt, um seine Unversehrtheit während der Lagerung und des Transports zu gewährleisten. Das Produkt ist vakuumversiegelt und in standardisierten Verpackungen wie z. B. 5 kg pro Beutel erhältlich. Auf Anfrage sind auch kundenspezifische Verpackungen erhältlich.

Häufig gestellte Fragen

F: Was sind die typischen Anwendungen für ein TiB2-Sputter-Target?
A: Es wird häufig für die Abscheidung von Halbleiterdünnschichten, moderne Schutzbeschichtungen, die Herstellung von Komponenten für die Luft- und Raumfahrt und die Fertigung elektronischer Geräte verwendet.

F: Warum ist ein hoher Schmelzpunkt für Sputtertargets wichtig?
A: Ein hoher Schmelzpunkt stellt sicher, dass das Target der starken Hitze, die während des Sputterprozesses entsteht, standhalten kann, ohne seine strukturelle Integrität zu beeinträchtigen.

F: Wie wird das Titanborid (TiB2) Sputtering Target hergestellt?
A: Es wird mit fortschrittlichen Fertigungstechniken hergestellt, die eine hohe Reinheit und eine einheitliche Materialstruktur garantieren, was für eine gleichbleibende Sputterleistung entscheidend ist.

F: Was bedeutet RF-Sputtern?
A: Beim RF-Sputtern wird mit Hilfe von Hochfrequenzenergie ein Plasma erzeugt, das die Abscheidung dünner Schichten auch auf isolierenden Substraten ermöglicht.

F: Sind kundenspezifische Formen für das TiB2-Sputter-Target erhältlich?
A: Ja, unsere Titanborid-Sputter-Targets können als Scheiben oder in kundenspezifischen Formen hergestellt werden, die auf spezifische Kundenanforderungen zugeschnitten sind.