ST0285 Silizium-Sulfid (SiS₂) Sputtering Target

Silizium-Sulfid (SiS₂) Sputtering Target Beschreibung

Das Siliziumsulfid (SiS₂) Sputtertarget wurde für Präzisionsanwendungen in Dünnschichtabscheidungs- und Sputterprozessen entwickelt. Mit einer Reinheit von ≥99% wird dieses Hochleistungs-Sputtertarget hergestellt, um konsistente und zuverlässige Ergebnisse zu liefern, wodurch es sich sowohl für die Forschung als auch für die industrielle Produktion eignet. Seine anpassbaren Formen, darunter Standardscheiben oder maßgeschneiderte Designs, sorgen für Vielseitigkeit in der Anwendung und gewährleisten optimale Kompatibilität mit verschiedenen Sputteranlagen.

Siliziumsulfid (SiS₂) Sputtering Target Anwendungen

- Mikroelektronik: Ideal für die Abscheidung von Dünnschichten in Halbleiterbauelementen und bei der Herstellung von Schaltkreisen.
- Optische Beschichtungen: Für die Herstellung von hochwertigen optischen Filtern und Sensorkomponenten.
- Forschungslabors: Bietet ein zuverlässiges Material für experimentelle Abscheidungsprozesse und Materialstudien.
- Energiegeräte: Wird bei der Herstellung von Photovoltaikzellen und anderen Energieumwandlungsgeräten verwendet.
- Industrielle Beschichtungen: Geeignet für schützende Oberflächenbehandlungen bei Spezialmaschinen und -werkzeugen.

Silizium-Sulfid (SiS₂) Sputtering Target Packing

Unsere Siliziumsulfid (SiS₂) Sputtering Targets werden sorgfältig verpackt, um die Produktintegrität von der Produktion bis zur Anwendung zu gewährleisten. Jede Einheit ist sicher in einer antistatischen Schutzverpackung verpackt, um Verunreinigungen und physische Schäden zu vermeiden. Die Verpackungsoptionen werden an die spezifischen Versand- und Handhabungsanforderungen angepasst, um sicherzustellen, dass die Targets in einwandfreiem Zustand ankommen.

Häufig gestellte Fragen

F: Was sind die Hauptanwendungen von Siliziumsulfid (SiS₂) Sputtertargets?
A: Sie werden in erster Linie für die Abscheidung von Dünnschichten für mikroelektronische Geräte, optische Beschichtungen, Forschungsexperimente und Energieumwandlungsanwendungen verwendet.

F: Wie wirkt sich die hohe Reinheit (≥99%) des SiS₂-Targets auf seine Leistung aus?
A: Ein Reinheitsgrad von ≥99% minimiert Verunreinigungen, die die Filmqualität oder die Sputtereffizienz beeinträchtigen könnten, und gewährleistet so konsistente und leistungsstarke Ergebnisse bei kritischen Anwendungen.

F: Können die Formen der Siliziumsulfid (SiS₂)-Zerstäubungstargets angepasst werden?
A: Ja, abgesehen von den Standard-Scheibenformen können die Targets auf kundenspezifische Spezifikationen zugeschnitten werden, um spezielle Design- und Geräteanforderungen zu erfüllen.

F: Welche Vorsichtsmaßnahmen sollten bei der Handhabung von Siliziumsulfid (SiS₂)-Sputtertargets getroffen werden?
A: Es ist wichtig, diese Targets sorgfältig zu handhaben, antistatische Maßnahmen zu ergreifen und eine geeignete Schutzausrüstung zu tragen, um Verunreinigungen oder physische Schäden während der Installation und des Betriebs zu vermeiden.

F: Gibt es besondere Lagerungsanforderungen für diese Sputtertargets?
A: Die Targets sollten in einer trockenen, temperaturgeregelten Umgebung und in ihrer Original-Schutzverpackung gelagert werden, um ihre Unversehrtheit und optimale Leistung über lange Zeit zu erhalten.