ST0234 Bariumfluorid (BaF₂) Sputtering Target

Bariumfluorid (BaF₂) Sputtering Target Beschreibung

Das Bariumfluorid (BaF₂) Sputtering Target wurde für Präzision bei HF-Sputteranwendungen entwickelt und gewährleistet außergewöhnliche Leistung bei Dünnschichtabscheidungsprozessen. Dieses Target wird sorgfältig hergestellt, um eine hohe Reinheit und einheitliche Eigenschaften zu gewährleisten. Es bietet eine zuverlässige Konsistenz für die Produktion von Halbleitern und Displaytechnologien. Das vielseitig einsetzbare Target ist in kundenspezifischen Größen erhältlich, um ein breites Spektrum an Anwendungsanforderungen zu erfüllen, und bietet eine ausgezeichnete Stabilität unter Hochfrequenz-Sputterbedingungen.

Bariumfluorid (BaF₂) Sputtering Target Anwendungen

- Dünnschichtabscheidung: Unerlässlich für die Herstellung von Halbleiterbauelementen, Displays und optoelektronischen Komponenten.
- Optische Beschichtungen: Ideal für die Herstellung hochwertiger optischer Schichten in Laser- und Photonikgeräten.
- Moderne Oberflächenbeschichtungen: Ermöglicht eine gleichmäßige Beschichtung für industrielle Hightech-Anwendungen.
- Wissenschaftliche Forschung: Wird in Versuchsaufbauten in materialwissenschaftlichen und modernen Forschungslabors verwendet.

Bariumfluorid (BaF₂) Sputtering Target Packing

Unser Bariumfluorid (BaF₂) Sputtering Target wird sorgfältig verpackt, um seine hohe Qualität und Integrität zu erhalten. Es ist in feuchtigkeitsdichten Behältern sicher vakuumversiegelt, wobei die Verpackungsgrößen an die spezifischen Kundenanforderungen angepasst werden können.

Häufig gestellte Fragen

F: Was sind die Hauptanwendungen des Bariumfluorid (BaF₂) Sputtering Targets?
A: Es wird hauptsächlich beim RF-Sputtern für die Abscheidung von Dünnschichten in der Halbleiterfertigung, für optische Beschichtungen und für fortschrittliche Oberflächenanwendungen verwendet.

F: Was beinhaltet das RF-Sputtern mit diesem Target?
A: Beim RF-Sputtern wird mit Hilfe von Hochfrequenzenergie ein Plasma erzeugt, das das Material vom Target ablöst und so eine präzise und gleichmäßige Abscheidung von Dünnschichten gewährleistet.

F: Welchen Nutzen hat die hohe Reinheit (≥99%) des Targets für den Sputterprozess?
A: Der hohe Reinheitsgrad sorgt für minimale Verunreinigungen, was zu einer besseren Schichtqualität, verbesserten elektrischen Eigenschaften und zuverlässigeren Leistungen in kritischen Anwendungen führt.

F: Kann das Target in der Größe angepasst werden?
A: Ja, das Bariumfluorid (BaF₂) Sputtering Target ist in kundenspezifischen Größen erhältlich, um spezifische betriebliche Anforderungen zu erfüllen.

F: Welche Vorsichtsmaßnahmen werden bei der Verpackung dieses Sputtertargets getroffen?
A: Das Target ist in einer feuchtigkeitsdichten Verpackung vakuumversiegelt, um eine Zersetzung zu verhindern und sicherzustellen, dass es während der Lagerung und des Transports seine optimale Leistung beibehält.