ST0229 Titan-Karbid (TiC) Sputtering Target

Titanium Carbide (TiC) Sputtering Target Beschreibung

Das Titanium Carbide (TiC) Sputtering Target wird mit Hilfe modernster Verarbeitungstechniken hergestellt, um einen Reinheitsgrad von ≥99% zu erreichen. Dieses Target wurde speziell für HF-Sputteranwendungen entwickelt und bietet eine bemerkenswerte thermische Stabilität und chemische Inertheit, die eine zuverlässige Leistung bei der Abscheidung von Dünnschichten und Oberflächenbeschichtungen gewährleistet. Es ist in Scheibenform oder als kundenspezifische Lösung erhältlich und erfüllt die präzisen Anforderungen der High-Tech-Fertigungsindustrie.

Titanium Carbide (TiC) Sputtering Target Anwendungen

- Halbleiter-Dünnschichtabscheidung: Ideal für die Herstellung verschleißfester und leitfähiger Schichten in der Mikroelektronik.
- Bildung von Hartbeschichtungen: Für die Abscheidung von Schutzschichten auf Werkzeugen, Matrizen und Schneidflächen.
- MEMS und mikroelektronische Geräte: Bietet eine hohe Stabilität für die Herstellung komplizierter Geräte.
- Plasma-Ätzverfahren: Verbessert die Präzision und Gleichmäßigkeit des Ätzens in modernen Produktionslinien.
- Oberflächenmodifizierung: Geeignet zur Verbesserung der Leistung und Langlebigkeit von Industriekomponenten.

Titanium Carbide (TiC) Sputtering Target Packing

Unser Titanium Carbide Sputtering Target wird sorgfältig verpackt, um seine Integrität und Leistung während der Lagerung und des Transports zu erhalten. Die Standardverpackung ist vakuumversiegelt und in Schutzhüllen verpackt. Sie ist normalerweise in 5 kg pro Beutel oder nach kundenspezifischen Spezifikationen erhältlich.

Häufig gestellte Fragen

F: Was sind die idealen Anwendungen für ein Titanium Carbide (TiC) Sputtering Target?
A: Es wird in erster Linie für die Abscheidung von Halbleiter-Dünnschichten, für Hartbeschichtungsanwendungen, für die Herstellung von MEMS, für das Plasmaätzen und für Oberflächenmodifizierungsprozesse verwendet.

F: Welche Vorteile bietet der RF-Sputterprozess durch die Verwendung eines TiC-Targets?
A: Das RF-Sputtern mit einem TiC-Target bietet eine erhöhte Plasmastabilität, eine verbesserte Schichtgleichmäßigkeit und eine bessere Kontrolle über den Abscheidungsprozess aufgrund der hohen thermischen Stabilität des Materials.

F: Warum ist ein Reinheitsgrad von ≥99% bei diesem Produkt wichtig?
A: Ein hoher Reinheitsgrad gewährleistet eine minimale Verunreinigung, was zu einer hervorragenden Schichtqualität, einer gleichmäßigen Sputterleistung und einer längeren Lebensdauer des Targets führt.

F: Kann das Target an spezifische Anwendungsanforderungen angepasst werden?
A: Ja, das Titanium Carbide Sputtering Target ist in Form von Scheiben erhältlich oder kann kundenspezifisch hergestellt werden, um die einzigartigen Spezifikationen und Größen zu erfüllen, die für verschiedene industrielle Anwendungen erforderlich sind.

F: Welche Maßnahmen werden ergriffen, um die Qualität des Targets während der Verpackung und des Transports zu gewährleisten?
A: Das Target wird vakuumversiegelt und sicher in speziellen Behältern verpackt, um seine hohe Qualität zu erhalten und es während der Lagerung und des Transports vor Umwelteinflüssen zu schützen.