ST0211 Germaniumnitrid (Ge3N4) Sputtering Target

Germaniumnitrid (Ge3N4) Sputtering Target Beschreibung

Das Germaniumnitrid (Ge3N4) Sputtering Target wurde für hochpräzise Dünnschichtabscheidungsprozesse entwickelt. Dieses Target wird mit einer Reinheit von ≥99% hergestellt und ist in Standard-Scheibenform oder als maßgeschneiderte Lösung für spezifische industrielle Anforderungen erhältlich. Seine ausgezeichnete thermische Stabilität und gleichbleibende Leistung machen es zu einer zuverlässigen Materialwahl für fortschrittliche Sputter- und Beschichtungsanwendungen.

Germaniumnitrid (Ge3N4) Sputtering Target Anwendungen

- Halbleiterherstellung: Ideal für die Abscheidung hochwertiger Dünnschichten in mikroelektronischen Geräten.
- Optische Beschichtungen: Für die Herstellung von optischen Präzisionskomponenten.
- Forschung und Entwicklung: Wird in Spitzenlabors für Materialinnovationen und -analysen eingesetzt.
- Energiegeräte: Geeignet für die Herstellung von Komponenten in Photovoltaikzellen und anderen Energiesystemen.

Germaniumnitrid (Ge3N4) Sputtering Target Packing

Unser Germaniumnitrid (Ge3N4) Sputtering Target wird sorgfältig verpackt, um seine hohe Reinheit und strukturelle Integrität zu erhalten. Die Standardverpackung besteht aus vakuumversiegelten Behältern, die das Target während der Lagerung und des Transports schützen. Kundenspezifische Verpackungen sind auf Anfrage erhältlich.

Häufig gestellte Fragen

F: Was sind die Hauptanwendungen für das Germaniumnitrid (Ge3N4) Sputtering Target?
A: Es wird hauptsächlich für die Dünnschichtabscheidung in Halbleitern, optischen Beschichtungen und bei der Herstellung elektronischer Geräte verwendet.

F: Kann das Target in Form oder Größe angepasst werden?
A: Ja, das Target ist sowohl in Form einer Standardscheibe als auch in kundenspezifischer Ausführung erhältlich, um spezifische Anwendungsanforderungen zu erfüllen.

F: Wie wird die hohe Reinheit (≥99%) während der Herstellung aufrechterhalten?
A: Das Produkt unterliegt strengen Qualitätskontrollverfahren und nutzt fortschrittliche Fertigungstechniken, um seine hohe Reinheit zu gewährleisten und zu erhalten.

F: Was sagt der Schmelzpunkt von ~1250℃ über das Produkt aus?
A: Der Schmelzpunkt spiegelt die ausgezeichnete thermische Stabilität des Materials wider, wodurch es sich ideal für Hochtemperatur-Sputter- und Beschichtungsprozesse eignet.

F: Wie sollte das Germaniumnitrid (Ge3N4) Sputtering Target gelagert werden?
A: Es sollte in einer sauberen, trockenen Umgebung unter kontrollierten Bedingungen gelagert werden, um Verunreinigungen zu vermeiden und eine optimale Leistung zu gewährleisten.