Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Dioden Beschreibung
Siliziumkarbid (SiC)-Schottky-Dioden sind Leistungshalbleiter der nächsten Generation, die für Anwendungen mit hohem Wirkungsgrad und hohen Spannungen entwickelt wurden. Im Gegensatz zu herkömmlichen Siliziumdioden bieten SiC-Schottky-Dioden vernachlässigbare Rückstromverluste, was ultraschnelles Schalten und eine höhere Energieeffizienz in Leistungsumwandlungssystemen ermöglicht.
Diese Dioden sind für hohe Stoßströme ausgelegt, arbeiten bei höheren Frequenzen und weisen einen positiven Temperaturkoeffizienten auf, was die thermische Leistung und Zuverlässigkeit unter anspruchsvollen Bedingungen verbessert. Darüber hinaus sind sie halogenfrei und RoHS-konform, was sie zu einer umweltfreundlichen Lösung für eine breite Palette von Industrie-, Automobil- und erneuerbaren Energieanwendungen macht.
Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Dioden Anwendungen
-Energieumwandlungssysteme - Einsatz in DC-DC-Wandlern und AC-DC-Gleichrichtern für effizientes Energiemanagement.
-Ladegeräte für Elektrofahrzeuge (EV) - Ideal für hocheffiziente Ladesysteme, da sie schnell schalten und hohe Spannungen liefern können.
-Systeme für erneuerbare Energien - Unverzichtbar in Photovoltaik-Wechselrichtern und Windturbinensystemen zur Maximierung der Energieumwandlungseffizienz.
-Motorantriebe und Wechselrichter - Werden in industriellen Motorsteuerungen und Frequenzumrichtern eingesetzt, um die Leistung zu verbessern und Leistungsverluste zu reduzieren.
-Telekommunikation - Einsatz in Hochfrequenzanwendungen, einschließlich Stromversorgungen für Kommunikationsgeräte.
-Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS) - Bieten zuverlässige und effiziente Stromversorgungssysteme für kritische Anwendungen.
-Elektrische Traktionssysteme - Werden für energieeffizienten Betrieb in Bahn- und Automobiltraktionsanwendungen eingesetzt.
Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Dioden Verpackung
Unsere Produkte werden in kundenspezifischen Kartons verschiedener Größen verpackt, die auf den Materialabmessungen basieren. Kleine Artikel werden sicher in PP-Kartons verpackt, während größere Artikel in maßgefertigte Holzkisten gelegt werden. Wir achten auf die strikte Einhaltung der Verpackungsanpassung und die Verwendung geeigneter Polstermaterialien, um einen optimalen Schutz während des Transports zu gewährleisten.

Verpackung: Karton, Holzkiste, oder kundenspezifisch.
Bitte sehen Sie sich die Verpackungsdetails zu Ihrer Information an.
FAQs zu Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Dioden
Q1: Was sind Siliziumkarbid (SiC)-Schottky-Dioden?
A: SiC-Schottky-Dioden sind Hochleistungsdioden aus Siliziumkarbid (SiC), die im Vergleich zu herkömmlichen Siliziumdioden eine geringe Umkehrerholung, eine hohe Stoßstrombelastbarkeit und eine verbesserte thermische Stabilität bieten, wodurch sie sich ideal für hocheffiziente Hochspannungsanwendungen eignen.
F2: Was sind die Hauptvorteile von SiC-Schottky-Dioden?
A: Zu den Hauptvorteilen gehören eine vernachlässigbare Rückwärtserholung, eine höhere Stoßstromfähigkeit, ein positiver Temperaturkoeffizient, eine höhere Schaltfrequenz und die RoHS-Konformität, die alle zu einer höheren Energieeffizienz, einer geringeren Wärmeentwicklung und einer größeren Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Anwendungen beitragen.
F3: Für welche Anwendungen sind SiC-Schottky-Dioden am besten geeignet?
A: SiC-Schottky-Dioden werden häufig in Energieumwandlungssystemen, Elektrofahrzeugen, Systemen für erneuerbare Energien, Motorantrieben und unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV) eingesetzt und bieten hohe Effizienz und zuverlässige Leistung in Hochspannungs- und Hochfrequenzumgebungen.
Leistungsvergleichstabelle mit Konkurrenzprodukten
Merkmal
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Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Dioden
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Standard-Schottky-Dioden
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Vorwärts-Spannungsabfall (VF)
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Sehr niedrig (bis zu 0,2V-0,4V)
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Typischerweise 0,3V-0,6V
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Leckstrom (IR)
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Sehr niedrig, insbesondere bei hohen Temperaturen
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Höherer Leckstrom, vor allem bei thermischer Belastung
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Schaltgeschwindigkeit
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Schnell bis ultraschnell
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Schnell
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Rückwärts-Spannungsbereich
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10V bis 100V (variiert je nach Modell)
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Weit, oft bis zu 150 V
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Thermische Leistung
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Ausgezeichnet, mit kompakten und thermisch optimierten Designs
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Variiert je nach Hersteller und Gehäuse
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Gehäuse-Optionen
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Kompakte SMDs (SOD-323), usw.
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Ähnlicher Bereich, aber oft sperriger bei gleicher Leistung
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Anwendungseignung
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Optimiert für tragbare, Automobil- und LED-Schaltungen
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Gleichrichtung für allgemeine Zwecke
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Preis
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Geringfügig höher, gerechtfertigt durch Leistung und Größe
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Im Allgemeinen niedriger für vergleichbare Leistungen
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Spezifikation
Parameter
Typ
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VRRM
|
I(AV)
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IFSM
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VF
|
IR
|
Gehäuse
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V
|
A
|
A
|
V
|
IF (A)
|
μA
|
VR (V)
|
SSC0665D
|
650
|
6
|
66
|
1.34
|
6
|
1.2
|
650
|
PDFN5*6
|
SSC0665-T
|
650
|
6
|
66
|
1.34
|
6
|
1.2
|
650
|
TO-220-2
|
Q-SSC0865-TF
|
650
|
16.1
|
42
|
1.4
|
10
|
1
|
650
|
TO-220F-2L
|
Q-SSC05120-T
|
1200
|
5
|
51
|
1.4
|
5
|
15
|
1200
|
TO-220AC
|
Q-SSC2090-T7
|
900
|
20
|
125
|
1.39
|
20
|
20
|
900
|
TO-247-2
|
*Dieobigen Produktinformationen basieren auf theoretischen Daten, für weitere Modelle und detaillierte Anfragen kontaktieren Sie uns bitte.