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ST11471 Planares Tantalnitrid-Target, TaN-Target

Katalog-Nr. ST11471
Zusammensetzung TaN
Formular Rechteckig
Formular Ziel
Reinheit ≥98%

Das planare Tantalnitrid-Target (TaN-Target) ist ein Sputtertarget, das durch kontrollierte reaktive Sputterprozesse hergestellt wird und eine definierte chemische Zusammensetzung aufweist. Stanford Advanced Materials (SAM) setzt die Inline-Rasterelektronenmikroskopie ein, um die Oberflächenmorphologie und die Einheitlichkeit der Mikrostruktur zu überwachen. Diese Maßnahmen tragen zur Aufrechterhaltung einer präzisen Stöchiometrie für eine verbesserte Leistung bei der Dünnschichtabscheidung in kontrollierten Umgebungen bei.

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FAQ

Was ist bei der Verwendung eines TaN-Sputtertargets für die Dünnschichtabscheidung zu beachten?

Bei der Verwendung eines TaN-Targets sind eine gleichmäßige Energiezufuhr und eine gleichmäßige Kühlung des Substrats unerlässlich, um die Gleichmäßigkeit der Schicht zu gewährleisten. Die Überwachung der Plasmaparameter gewährleistet, dass die Stöchiometrie während der Abscheidung erhalten bleibt. Anpassungen des Reaktivgasflusses helfen, die Schichthaftung zu steuern und die Verunreinigung zu minimieren.

Wie wirkt sich das planare Design des TaN-Targets auf die Sputterleistung aus?

Das planare Design fördert die gleichmäßige Erosion während des Sputterns und führt zu einer gleichmäßigen Verteilung der abgeschiedenen Schicht. Diese strukturelle Gleichmäßigkeit minimiert den Partikelauswurf und reduziert den Target-Verlust, wodurch die Reproduzierbarkeit der Dünnschichteigenschaften verbessert wird.

Welche Vorsichtsmaßnahmen sind bei der Installation und Handhabung eines TaN-Sputtertargets zu treffen?

Es muss darauf geachtet werden, dass während der Installation mechanische Stöße und Oberflächenverunreinigungen vermieden werden. Durch die Verwendung antistatischer Werkzeuge und die Verwendung einer Reinraumumgebung wird die Verunreinigung durch Partikel reduziert und die Unversehrtheit der Oberfläche des Targets erhalten.

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