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ST11467 Titan-Silizium-Target, TiSi-Target

Katalog-Nr. ST11467
Zusammensetzung TiSi
Formular Rund, Rechteckig, Individuell
Formular Ziel
Reinheit Ti+Si: ≥99%

Das Titan-Silizium-Target (TiSi-Target) wird für Sputtering-Prozesse bei Dünnschichtanwendungen hergestellt. Es wird von Stanford Advanced Materials (SAM) hergestellt und zeichnet sich durch eine einheitliche TiSi-Zusammensetzung aus, die mit Hilfe von SEM-Bildgebung und Laserprofilometrie überprüft wird. SAM setzt strenge Chargenprüfungen und Mikroanalysen ein, um Verunreinigungen zu minimieren und gleichbleibende Materialeigenschaften zu gewährleisten. Die kontrollierte Verarbeitungsumgebung unterstützt die Reproduzierbarkeit, die bei fortschrittlichen Abscheidetechniken unerlässlich ist.

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FAQ

Welche Prozessparameter sollten bei der Verwendung dieses Targets beachtet werden?

Der Sputterprozess mit diesem Target erfordert eine sorgfältige Kontrolle der Leistungsdichte und des Kammerdrucks. Anpassungen der HF- oder DC-Leistung beeinflussen die Gleichmäßigkeit und Stöchiometrie des Films. Die Überwachung der Substrattemperatur kann die Schichthaftung weiter optimieren.

Wie wird die Mikrostruktur des Zielobjekts überprüft?

Das Target wird einer REM-Bildgebung und einer Laserprofilmessung unterzogen, um die Gleichmäßigkeit der Oberfläche zu bewerten und potenzielle Fehler zu erkennen. Diese Kontrollen tragen dazu bei, die Konsistenz während des Sputterns aufrechtzuerhalten und die Verunreinigung der abgeschiedenen Schicht durch Partikel zu verringern.

Kann das Target an die spezifischen Anforderungen des Sputtering-Systems angepasst werden?

Ja, es gibt Anpassungsmöglichkeiten für Größe und Bearbeitungstoleranzen. Die Anpassung dieser Parameter gewährleistet die Kompatibilität mit verschiedenen Abscheidungssystemen und unterstützt die Reproduzierbarkeit des Prozesses. Für detaillierte Anpassungsoptionen kontaktieren Sie uns bitte.

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