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ST11221 Planares Zinksulfid-Target, ZnS-Target

Katalog-Nr. ST11221
Zusammensetzung ZnS
Reinheit ≥99,99%, oder kundenspezifisch
Formular Ziel
Formular Rechteckig
Abmessungen Kundenspezifisch

Das planare Zinksulfid-Target (ZnS-Target) wurde für präzise Sputtering-Beschichtungsprozesse entwickelt. Das Target wird mit kontrollierter planarer Geometrie hergestellt, um eine gleichmäßige Dünnschichtbildung zu unterstützen. Stanford Advanced Materials (SAM) führt detaillierte REM-Prüfungen und Sinterungen in kontrollierter Atmosphäre durch, um die Homogenität des Materials und die Kontrolle von Verunreinigungen zu gewährleisten. Diese technischen Protokolle stellen sicher, dass das Target die strengen Anforderungen für eine gleichmäßige Schichtabscheidung in industriellen Anwendungen erfüllt.

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FAQ

Welche Bedeutung hat die Verwendung einer planaren Geometrie bei ZnS-Sputtertargets?

Die planare Geometrie gewährleistet eine gleichmäßige Schichtdicke während des Sputterns und reduziert die Schwankungen bei den abgeschiedenen Schichten. Diese Eigenschaft ist für Prozesse, die gleichbleibende optische und elektrische Eigenschaften erfordern, von entscheidender Bedeutung. Kontaktieren Sie uns für weitere technische Details.

Welchen Einfluss hat der Sinterprozess auf die Qualität des ZnS-Targets?

Kontrolliertes Sintern fördert ein homogenes Gefüge und minimiert Verunreinigungen. Dieses Verfahren verbessert die Dichte des Materials und die Gesamtleistung bei der Sputtering-Beschichtung. Wenden Sie sich an uns, wenn Sie weitere Einblicke in den Herstellungsprozess wünschen.

Können die Abmessungen des ZnS-Targets an bestimmte Sputtering-Systeme angepasst werden?

Ja, die Abmessungen sind an die Anforderungen der Anlage anpassbar und gewährleisten die Kompatibilität mit verschiedenen Sputteranlagen. Diese Flexibilität ermöglicht die Integration in verschiedene Abscheidungssysteme unter Beibehaltung der Gleichmäßigkeit des Films. Kontaktieren Sie uns für Anpassungsoptionen.

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