ST11217 Planares Target aus Titansilicid, TiSi2 Target

Planares Target aus Titansilicid, TiSi2 Target Beschreibung

Das Titan-Silizid-Planar-Target, TiSi2-Target, wurde für Sputtering-Anwendungen bei der Dünnschichtabscheidung entwickelt. Seine planare Konfiguration begünstigt einen gleichmäßigen Materialabtrag und eine konstante Schichtdicke, wodurch es sich gut für die Integration in Standard-Halbleiterbearbeitungsanlagen eignet. Die kontrollierte Zusammensetzung des Targets reduziert die Partikelbildung und verbessert die Haftungseigenschaften der abgeschiedenen Schichten, wodurch präzise Materialabscheidungsprozesse unterstützt werden.

Planares Titansilizid-Target, TiSi2 Targetmerkmale

*Die obigen Produktinformationen beruhen auf theoretischen Daten und dienen nur als Referenz. Tatsächliche Spezifikationen können abweichen.

Planares Target aus Titansilicid, TiSi2 Target Anwendungen

1.elektronik
- Verwendung als Sputtering-Quelle in Halbleiterbauelementen, um eine gleichmäßige Dünnschichtabscheidung durch Ausnutzung der planaren Struktur des Targets zu erreichen.
- Anwendung als Kontaktschicht in integrierten Schaltungen zur Erzielung gleichmäßiger elektrischer Eigenschaften durch Minimierung mikrostruktureller Abweichungen.

2.industriell
- Einsatz als Beschichtungsmaterial bei der Sensorherstellung zur Aufrechterhaltung einer kontrollierten Schichtdicke durch gleichmäßige Sputter-Erosion.
- Wird als Abscheidungsquelle in Oberflächenbehandlungsprozessen verwendet, um zuverlässige Schichteigenschaften unter wechselnden Plasmabedingungen zu gewährleisten.

3.optoelektronische Anwendungen
- Wird als Elektrodenmaterial in Display-Komponenten verwendet, um durch das gleichmäßige Erosionsprofil des Targets eine konstante Schichtleitfähigkeit zu gewährleisten.

Planares Target aus Titansilicid, TiSi2-Targetpackung

Titanium Silicide Planar Target, TiSi2 Target wird in versiegelten antistatischen Beuteln verpackt, die in Hartschaumstoffbehältern positioniert sind, um vor mechanischen Stößen und Kontamination zu schützen. Die Verpackung enthält Feuchtigkeitsbarrieren, um Oberflächenoxidation während des Transports und der Lagerung zu verhindern. Kundenspezifische Optionen, einschließlich vakuumversiegelter und etikettierter Behälter, sind erhältlich. Es wird empfohlen, das Produkt in einer sauberen, trockenen und temperaturgeregelten Umgebung zu lagern.

Zusätzliche Informationen

Titansilicid ist eine intermetallische Verbindung, die aufgrund ihres geringen spezifischen Widerstands und ihrer Kompatibilität mit Siliziumsubstraten in der Halbleiterherstellung häufig eingesetzt wird. Seine Integration in Sputtertargets beruht auf seiner Fähigkeit, gleichmäßige, haftende Dünnschichten mit kontrollierter Zusammensetzung zu bilden und dadurch die Abscheidungsleistung in verschiedenen Bauelementeherstellungsprozessen zu verbessern.

Hochentwickelte Techniken zur Oberflächencharakterisierung, wie die Rasterelektronenmikroskopie und die Röntgenbeugung, sind für die Bewertung der Mikrostruktur des Materials von entscheidender Bedeutung. Diese Analysemethoden bestätigen nicht nur die Qualität des Produkts, sondern tragen auch zu einer effektiveren Prozessoptimierung bei der Dünnschichtabscheidung bei.