ST11216 Planares Tantalsilicid-Target, TaSi2-Target

Tantalsilicid Planar Target, TaSi2 Target Beschreibung

Tantalsilicid-Planar-Target, TaSi2-Target wird aus einer TaSi2-Verbindung durch ein kontrolliertes Planarisierungsverfahren hergestellt. Das Target ist so konstruiert, dass es eine einheitliche Mikrostruktur mit anpassbaren Abmessungen aufweist, die eine reproduzierbare Dünnschichtabscheidung unterstützt. Diese Konsistenz in der Kornstruktur und Zusammensetzung spielt eine entscheidende Rolle beim Erreichen einer gleichmäßigen Schichtdicke und einer hohen Reproduzierbarkeit der Abscheidung bei der Halbleiterverarbeitung und anderen fortschrittlichen Beschichtungsanwendungen.

Planares Tantalsilicid-Target, TaSi2-Target Merkmale

Die obigen Produktinformationen beruhen auf theoretischen Daten und dienen nur als Referenz. Tatsächliche Spezifikationen können abweichen.

Planares Tantalsilicid-Target, TaSi2-Target Anwendungen

1.für Elektronik und Halbleiter
- Verwendung als Sputterquelle in Halbleiterabscheidungssystemen zur Erzielung gleichmäßiger Filmschichten durch Ausnutzung der kontrollierten Mikrostruktur. Diese Anwendung minimiert die Verunreinigung durch Partikel und verbessert die Schichtkonsistenz.

2.industrielle Verarbeitung
- Anwendung als Target in Beschichtungssystemen zur Verbesserung der Oberflächenbeständigkeit von Industriekomponenten. Die maßgeschneiderte Zusammensetzung und die planare Kornstruktur unterstützen die effiziente Energieübertragung während des Sputterns und verringern die Prozessvariabilität.

3.für Forschung und Entwicklung
- Dient als Probe in fortgeschrittenen Dünnschichtstudien zur Analyse des Abscheideverhaltens. Die anpassbaren Abmessungen ermöglichen eine präzise Optimierung der Versuchsaufbauten und erleichtern eine detaillierte Bewertung der Materialleistung.

Planares Tantalsilicid-Target, TaSi2-Target-Verpackung

Das Target ist in einem antistatischen Schutzbehälter mit Schaumstoffpolsterung verpackt, um mechanische Beschädigungen während des Transports zu verhindern. Es ist in feuchtigkeitsundurchlässigen Beuteln versiegelt und in einem stabilen Umkarton gesichert, um die Kontamination zu minimieren. Es wird empfohlen, das Target in einer kühlen, trockenen Umgebung zu lagern. Kundenspezifische Verpackungsoptionen - wie vakuumversiegelte oder klimatisierte Behälter - sind auf Anfrage erhältlich.

Zusätzliche Informationen

Die Entwicklung von Sputtertargets wie Tantalsilicid-Planar-Targets, TaSi2-Targets, erfordert ein umfassendes Verständnis der Materialeigenschaften und Verarbeitungstechniken. Die Kontrolle von Parametern wie Kornstruktur und -zusammensetzung hat einen direkten Einfluss auf die Abscheidungsleistung und die Gleichmäßigkeit der Schichten in industriellen und Forschungsanwendungen.

Die Herstellung und Nutzung von TaSi2-Targets beruht auf materialwissenschaftlichen Grundlagen. Detaillierte Studien über die thermischen und elektrischen Eigenschaften sowie die mikrostrukturelle Integrität sind die Grundlage für Fortschritte bei der Dünnschichtabscheidung. Dieses Verständnis unterstützt die kontinuierliche Verbesserung der Target-Herstellungsprozesse und gewährleistet die Kompatibilität mit anspruchsvollen Halbleiter- und Beschichtungsanwendungen.