ST11215 Planares Tantalkarbid-Target, TaC-Target

Tantalkarbid Planar Target, TaC Target Beschreibung

Das Tantalkarbid-Planartarget (TaC-Target) besteht aus einer hochreinen TaC-Verbindung, die für Sputtering-Prozesse entwickelt wurde. Das durch reaktives Sintern hergestellte Target entwickelt ein dichtes Gefüge, das Korngrenzenartefakte minimiert. Seine anpassungsfähigen Abmessungen ermöglichen eine nahtlose Integration in verschiedene Sputtersysteme. Die chemische Inertheit und thermische Stabilität von TaC unterstützen eine präzise Schichtabscheidung und minimieren gleichzeitig die Kontamination während der Verarbeitung.

Planares Tantalkarbid-Target, TaC-Target Merkmale

*Die obigen Produktinformationen beruhen auf theoretischen Daten und dienen nur als Referenz. Tatsächliche Spezifikationen können abweichen.

Tantalkarbid Planar Target, TaC Target Anwendungen

Elektronik
- Verwendung als Abscheidungsquelle bei der Halbleiterherstellung zur Erzielung gleichmäßiger leitfähiger Beschichtungen durch Ausnutzung einer kontrollierten Mikrostruktur.
- Wird als Sputtering-Quelle bei der Verarbeitung von Anzeigetafeln verwendet, um dank seiner stabilen chemischen Zusammensetzung gleichmäßige optische Eigenschaften zu erzielen.

Industriell
- Wird in Beschichtungssystemen eingesetzt, um die Verschleißfestigkeit von Werkzeugen zu erhöhen, indem seine hohe thermische Stabilität für eine präzise Filmbildung genutzt wird.

Planares Tantalkarbid-Target, TaC-Target-Verpackung

Das Target ist in einem versiegelten Behälter verpackt, der mit einer inerten Barriere ausgekleidet ist, um das Kontaminationsrisiko zu verringern. Schwingungsdämpfende Halterungen und Feuchtigkeitsschutzbeutel schützen vor mechanischen und umweltbedingten Belastungen. Die Lagerung in einer temperaturgeregelten, trockenen Umgebung ist für die Erhaltung der Materialintegrität unerlässlich. Kundenspezifische Verpackungsoptionen - einschließlich manipulationssicherer Siegel und spezieller Etikettierung - sind auf Anfrage erhältlich.

Zusätzliche Informationen

Tantalkarbid wird häufig wegen seiner einzigartigen Kombination aus thermischer Stabilität und chemischer Inertheit untersucht. Die Forscher konzentrieren sich auf die Verfeinerung von Sinterprozessen, um die Mikrostruktur zu kontrollieren, die sich direkt auf die Leistung in Sputtersystemen auswirkt. Fortschritte in der Materialverarbeitung haben es möglich gemacht, reproduzierbare Kornstrukturen zu erzielen, die den strengen industriellen Anforderungen entsprechen.

Materialwissenschaftler untersuchen auch die Abscheidungseigenschaften von TaC-Targets, um die Gleichmäßigkeit der Schichten und die Abscheidungsraten zu verbessern. Diese Studien tragen zu einer verbesserten Prozesskontrolle bei Dünnschichtanwendungen bei und gewährleisten, dass die Materialien unter verschiedenen Betriebsbedingungen vorhersehbar funktionieren.