ST11210 Planares Siliziumkarbid-Target, SiC-Target

Siliziumkarbid-Planar-Target, SiC-Target Beschreibung

Siliziumkarbid-Planar-Target, SiC-Target wird aus Siliziumkarbid (SiC) hergestellt und ist mit einer planaren Struktur zur Unterstützung von Sputtering-Beschichtungsprozessen konzipiert. Die anpassbaren Abmessungen erleichtern die Integration in verschiedene Sputtersysteme. Die chemische Inertheit und der hohe Schmelzpunkt von SiC tragen zur Aufrechterhaltung stabiler Abscheidungsraten und gleichmäßiger Schichteigenschaften bei, was in der Halbleiter- und Keramikherstellung von entscheidender Bedeutung ist.

Planares Siliziumkarbid-Target, SiC-Target Merkmale

*Die obigen Produktinformationen beruhen auf theoretischen Daten und dienen nur als Referenz. Tatsächliche Spezifikationen können abweichen.

Siliziumkarbid-Planar-Target, SiC-Target Anwendungen

Elektronik
- Verwendung als Sputtertarget bei der Dünnschichtabscheidung zur Erzielung gleichmäßiger Beschichtungen durch Ausnutzung seiner chemischen Inertheit und seines hohen Schmelzpunkts.
- Wird als Diffusionsbarriere in Halbleiterbauelementen verwendet, um die Integrität des Films während der Hochtemperaturverarbeitung zu erhalten.

Industriell
- Dient als Quelle in plasmagestützten Beschichtungssystemen zur Verbesserung der Oberflächenbeständigkeit durch Ausnutzung der Materialstabilität bei hohen Temperaturen.
- Wird bei der Keramikverarbeitung zur Abscheidung verschleißfester Schichten verwendet, indem die technische Mikrostruktur des Targets genutzt wird.

Automobilindustrie
- Wird bei der Herstellung von Sensorkomponenten verwendet, um Schutzschichten zu erzeugen, indem die chemische Stabilität von Siliziumkarbid genutzt wird.

Planares Siliziumkarbid-Target, SiC-Target-Packung

Siliciumcarbid Planar Target, SiC Target wird in einer statisch ableitenden Hülle verpackt und in einem stoßdämpfenden Behälter gesichert. Für die Verpackung werden inerte Materialien verwendet, um Verunreinigungen zu vermeiden, und sie ist für die Lagerung unter kontrollierten, trockenen Bedingungen ausgelegt, um Feuchtigkeit und Temperaturschwankungen zu vermeiden. Um die Unversehrtheit des Produkts während des Versands und der Handhabung zu gewährleisten, sind kundenspezifische Optionen, wie z. B. Vakuumversiegelung und spezielle Containerisierung, erhältlich.

Zusätzliche Informationen

Siliziumkarbid ist ein keramisches Material, das für seine hohe Wärmeleitfähigkeit und chemische Inertheit bekannt ist. Aufgrund dieser Eigenschaften eignet es sich für die Verarbeitung bei hohen Temperaturen und für Anwendungen in rauen Umgebungen. Seine inhärenten Eigenschaften tragen dazu bei, die Leistungsstabilität unter Bedingungen aufrechtzuerhalten, die einen minimalen Materialabbau erfordern.

In der Materialwissenschaft ist eine präzise Kontrolle der Prozessparameter und der Materialeigenschaften unerlässlich. Die Verwendung von Siliziumkarbid in Sputtertargets ist ein Beispiel für die Integration von technischen Mikrostrukturen mit funktionaler Leistung. Solche Anwendungen treiben den Fortschritt in der Halbleiter- und Keramikherstellung voran, indem sie eine gleichmäßige Dünnschichtabscheidung und kontrollierte Prozessergebnisse ermöglichen.