ST11209 Silizium-Sputtering-Target, Si-Target

Silizium-Sputtering-Target, Si-Target Beschreibung

Das Silizium-Sputtering-Target, Si-Target, wird aus hochreinem Siliziummetall hergestellt und ist für die Verwendung in Systemen zur physikalischen Gasphasenabscheidung vorgesehen. Die anpassbaren Abmessungen des Targets gewährleisten die Kompatibilität mit Standardanlagen für die Halbleiterherstellung. Seine Zusammensetzung und Struktur sind so konzipiert, dass sie die gleichmäßige Abscheidung von Siliziumschichten unterstützen und die Prozessvariabilität bei Dünnschichtbeschichtungsanwendungen verringern.

Silizium Sputtering Target, Si Target Eigenschaften

Die obigen Produktinformationen beruhen auf theoretischen Daten und dienen nur als Referenz. Tatsächliche Spezifikationen können abweichen.

Silizium Sputtering Target, Si Target Anwendungen

Elektronik und Halbleiterherstellung
- Wird als Abscheidungsquelle in Sputtering-Systemen verwendet, um durch kontrollierte Reinheit und anpassbare Abmessungen eine gleichmäßige Siliziumschichtbildung zu erreichen.
- Wird als aktives Target in Dünnschichttransistoren eingesetzt, um die Schichtdicke zu kontrollieren und die Leistung der Geräte durch gleichbleibende Materialeigenschaften zu verbessern.

Industrielle Beschichtungsprozesse
- Dient als Sputtermedium in Beschichtungssystemen zur Bildung von Schutzschichten durch Nutzung der gemessenen Zusammensetzung und strukturellen Konsistenz, wodurch die Belastung des Films während der Abscheidung reduziert wird.
- Wird bei der Herstellung von Solarzellen zur Abscheidung intrinsischer Siliziumschichten verwendet und trägt durch die Gewährleistung einer gleichmäßigen Materialabscheidung zu einer verbesserten photovoltaischen Effizienz bei.

Silizium Sputtering Target, Si Target Packing

Das Silizium-Sputter-Target wird in einem sauberen, versiegelten Kunststoffbehälter mit antistatischen Schaumstoffeinlagen verpackt, um mechanische Beschädigungen und Verunreinigungen zu vermeiden. Die Verpackung ist so konzipiert, dass Staub und Feuchtigkeit ausgeschlossen sind und die Lagerung in einer kontrollierten Umgebung mit niedriger Luftfeuchtigkeit gewährleistet ist. Kundenspezifische Verpackungsoptionen wie vakuumversiegelte Verpackungen oder gepolsterte Kisten sind erhältlich, um speziellen Handhabungsanforderungen gerecht zu werden.

Zusätzliche Informationen

Die beim Sputtern verwendeten Siliziumtargets sind ein grundlegender Bestandteil bei der Abscheidung dünner Schichten, die für die Herstellung von Halbleitern und Mikroelektronik unerlässlich sind. Ihre kontrollierte Reinheit, gleichbleibende Zusammensetzung und anpassbaren Abmessungen ermöglichen eine präzise Anpassung der elektronischen Eigenschaften der abgeschiedenen Schichten. Die Forschung arbeitet weiter an der Verfeinerung der Sputtertechniken, wobei der Schwerpunkt auf der Reduzierung von Defekten und der Gleichmäßigkeit der Schichten liegt.

Der Herstellungsprozess von Silizium-Sputter-Targets beinhaltet eine sorgfältige Bewertung der Materialeigenschaften wie Dichte und Schmelzpunkt. Die Kenntnis dieser Parameter hilft bei der Optimierung des Sputterverfahrens, das eine entscheidende Rolle bei der Herstellung von Geräten mit leistungsstarken elektrischen Eigenschaften spielt.