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ST11193 Indium-Zinn-Drehtarget, InSn-Target

Katalog-Nr. ST11193
Zusammensetzung In, Sn
Reinheit ≥99,99%, oder kundenspezifisch
Formular Ziel
Formular Röhrenförmig
Abmessungen Kundenspezifisch

Das Indium-Zinn-Rotations-Target (InSn-Target) ist ein Sputtertarget aus einer Indium-Zinn-Legierung, das für Abscheidungsprozesse in der Halbleiter- und Flachbildschirmherstellung entwickelt wurde. Stanford Advanced Materials (SAM) setzt fortschrittliche Legierungsmischungen und Oberflächenanalysen mittels Röntgenfluoreszenz und Profilometrie ein, um Materialschwankungen zu reduzieren. Eine strenge Qualitätskontrolle durch Chargenprüfungen und statistische Prozesskontrolle stellt sicher, dass die Zielzusammensetzung und die Oberflächengleichmäßigkeit den genauen Prozessspezifikationen entsprechen.

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FAQ

Welche Prozessanpassungen sind bei der Umstellung auf ein InSn-Sputtertarget erforderlich?

Zu den Prozessanpassungen kann die Neukalibrierung der Abscheidungsleistung und der Gasdurchflussraten gehören, um unterschiedliche Sputterausbeuten und thermische Eigenschaften zu berücksichtigen. Die Bediener sollten die Gleichmäßigkeit und Haftung mit Hilfe von In-situ-Überwachungssystemen beurteilen. Kontaktieren Sie uns für detaillierte Richtlinien.

Wie verbessert die Rotationsform des Targets die Gleichmäßigkeit der Abscheidung?

Der Rotationsmechanismus fördert einen gleichmäßigen Abtrag über die Zieloberfläche, was zu einer gleichmäßigen Schichtdicke auf dem Substrat führt. Die kontinuierliche Rotation minimiert die lokale Überhitzung. Den Anwendern wird empfohlen, dieses Design in die Optimierung der Standardprozessparameter zu integrieren.

Können sich Toleranzen bei der Zusammensetzung des Targets auf die Schichteigenschaften während des Sputterns auswirken?

Ja, geringfügige Abweichungen in der Legierungszusammensetzung können die Leitfähigkeit des Films, die optische Transparenz und die mechanische Belastung beeinflussen. Um die Reproduzierbarkeit des Prozesses aufrechtzuerhalten, ist es wichtig, die Zusammensetzung mit Hilfe von Materialcharakterisierungsverfahren zu überwachen. Kontaktieren Sie uns für weitere technische Details.

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