ST11191 Indium-Drehscheibe, im Ziel

Indium Rotationstarget, In Target Beschreibung

Das Indium Rotary Target, In Target wird in Systemen zur physikalischen Abscheidung aus der Gasphase zur Bildung von Indiumschichten verwendet. Das aus hochreinem Indium (In) hergestellte rotierende Target gewährleistet einen gleichmäßigen Abtrag und eine konstante Materialausgabe. Das Produkt wird durch kontrolliertes Vakuumschmelzen und Oberflächenprofilierung verarbeitet, um die Verunreinigung durch Partikel zu reduzieren und so eine zuverlässige Dünnschichtproduktion zu unterstützen.

Indium Rotary Target, In Target Merkmale

*Die obigen Produktinformationen beruhen auf theoretischen Daten und dienen nur als Referenz. Tatsächliche Spezifikationen können abweichen.

Indium-Drehtarget, In Target-Anwendungen

Elektronik und Halbleiter
- Wird als Sputtertarget bei der Herstellung von Flachbildschirmen verwendet, um eine gleichmäßige Abscheidung von Indiumschichten zu erreichen, indem seine rotierende Konfiguration genutzt wird.

Fotovoltaik
- Wird als Target bei der Herstellung von Dünnschicht-Solarzellen eingesetzt, um eine gleichmäßige Indium-Schichtdicke durch ein kundenspezifisches Maßdesign zu erreichen.

Industrielle Beschichtungen
- Dient als Abscheidungsmedium in Beschichtungsprozessen zur Verbesserung der Schichtgleichmäßigkeit durch Nutzung des kontrollierten Erosionsprofils.

Indium-Drehtarget, In-Target-Verpackung

Das Indium Rotary Target, In Target wird in einem versiegelten, gepolsterten Behälter mit antistatischer Auskleidung und Feuchtigkeitsbarriere verpackt, um mechanische Beschädigungen und Verunreinigungen durch Partikel während Transport und Lagerung zu verhindern. Die empfohlenen Lagerbedingungen umfassen eine kühle, trockene Umgebung, um die Materialintegrität zu erhalten. Kundenspezifische Etikettierung und spezielle Handhabungsoptionen sind verfügbar, um spezifischen logistischen Anforderungen gerecht zu werden.

Zusätzliche Informationen

Indium, ein Post-Transition-Metall mit niedrigem Schmelzpunkt, wird aufgrund seiner Formbarkeit und günstigen elektrischen Eigenschaften häufig für Sputtering-Anwendungen verwendet. Seine Anwendung bei der Abscheidung von Dünnschichten erfordert eine sorgfältige Kontrolle der Prozessparameter, um Gleichmäßigkeit und Haftung zu gewährleisten, insbesondere bei der Herstellung von Halbleitern und optischen Geräten.

Das Verständnis der Rolle des Targets bei physikalischen Abscheidungsprozessen aus der Gasphase ist für die Optimierung der Schichteigenschaften unerlässlich. Fortgeschrittene Analysemethoden wie REM und Oberflächenprofilometrie sind für die Beurteilung der Oberflächenqualität des Targets unerlässlich, um sicherzustellen, dass das Material den präzisen Anforderungen moderner Herstellungsverfahren entspricht.