ST11190 Indium Planar Sputtering Target, In Target

Katalog-Nr.	ST11190
Zusammensetzung	Unter
Reinheit	≥99,99%, oder kundenspezifisch
Formular	Ziel
Formular	Rechteckig
Abmessungen	Kundenspezifisch

Indium Planar Sputtering Target, In Target ist ein Sputtertarget, das für Anwendungen zur Dünnschichtabscheidung entwickelt wurde. Dieses von Stanford Advanced Materials (SAM) hergestellte Produkt wird unter strengen Prozesskontrollen hergestellt, die auch mikroskopische Oberflächenkontrollen zur Überprüfung der Gleichmäßigkeit umfassen. SAM wendet während der Produktion eine detaillierte Prozessüberwachung an, um eine genaue Kontrolle der Abmessungen und der Materialkonsistenz zu gewährleisten und sicherzustellen, dass das Target den strengen Anforderungen der Vakuumabscheidungssysteme entspricht.

ANFRAGE

Beschreibung

Spezifikation

Bewertungen

FAQ

Welchen Einfluss hat die Oberflächenbeschaffenheit des Indium-Targets auf den Sputtering-Prozess?

Die Oberflächenbeschaffenheit wirkt sich direkt auf die Erosionsrate beim Sputtern aus. Eine glatte, ebene Oberfläche fördert die gleichmäßige Schichtabscheidung und verringert die Verunreinigung durch Partikel und Schichtdefekte. Eine optimierte Oberflächenvorbereitung minimiert die Prozessunterbrechung und verbessert die Konsistenz der Abscheidung. Für detaillierte Parameter kontaktieren Sie uns bitte.

Welche Abscheidungseinstellungen werden bei der Verwendung eines Indium-Sputtertargets empfohlen?

Die empfohlenen Einstellungen hängen von der Kammerkonfiguration und der gewünschten Schichtdicke ab. Im Allgemeinen tragen niedrige Leistungsdichten mit einer kontrollierten Argon-Atmosphäre zu einem stabilen Sputtering bei. Je nach Abstand zwischen Target und Substrat können Anpassungen erforderlich sein, um eine optimale Schichtgleichmäßigkeit und minimale thermische Belastung zu gewährleisten.

Welchen Einfluss hat die Reinheit von Indium auf die Leistung von Folien in Halbleiteranwendungen?

Die hohe Reinheit von Indium minimiert durch Verunreinigungen verursachte Defekte während des Filmwachstums. Dies führt zu verbesserten elektrischen Eigenschaften und gleichmäßiger Grenzflächenbildung. Höhere Assay-Werte verringern das Kontaminationsrisiko und liefern ein vorhersehbares Abscheidungsverhalten, das für Präzisions-Halbleiterprozesse unerlässlich ist.