ST11189 Gallium-Sulfid-Zerstäubungstarget, Ga2S3-Target

Galliumsulfid Sputtering Target, Ga2S3 Target Beschreibung

Galliumsulfid Sputtering Target, Ga2S3 Target ist eine hochreine Ga2S3-Verbindung, die für physikalische Gasphasenabscheidungsprozesse entwickelt wurde. Die kundenspezifischen Abmessungen gewährleisten die Kompatibilität mit verschiedenen Sputtersystemen und eine gleichmäßige Targetexposition. Die kontrollierte chemische Zusammensetzung und die mikrostrukturellen Eigenschaften fördern eine gleichmäßige Plasmaentladung während der Abscheidung, was für das Erreichen einer gleichmäßigen Schichtdicke und Haftung bei der Halbleiterherstellung entscheidend ist.

Galliumsulfid Sputtertarget, Ga2S3 Target Eigenschaften

Galliumsulfid Sputtering Target, Ga2S3 Target Anwendungen

Elektronik
- Wird als Sputtertarget bei der Halbleiter-Dünnschichtabscheidung verwendet, um durch die kontrollierte Mikrostruktur gleichmäßige Beschichtungen zu erzielen.

Industrie
- Anwendung als Komponente für die Abscheidung funktionaler Schichten bei der Herstellung von Photovoltaikmodulen zur Verbesserung der Schichthaftung durch präzise Kontrolle der Zusammensetzung.

Optische Beschichtungen
- Wird als Abscheidungsquelle in Sensorsystemen verwendet, um gleichbleibende optische Eigenschaften mit minimalen Verunreinigungen zu erzielen und die Leistung des Targets während der Beschichtungsprozesse zu gewährleisten.

Gallium-Sulfid-Sputter-Target, Ga2S3-Target-Packung

Das Galliumsulfid-Sputter-Target, Ga2S3-Target ist in einem schützenden, antistatischen Behälter mit Schaumstoffeinlagen verpackt, um mechanische Stöße zu dämpfen. Es ist in einer feuchtigkeitsbeständigen Verpackung versiegelt, um eine Kontamination zu verhindern, und wird bei kontrollierter Raumtemperatur gelagert. Die Verpackung verfügt über eine sichere Beschriftung und manipulationssichere Siegel, wobei kundenspezifische Verpackungsoptionen auf Anfrage erhältlich sind.

Zusätzliche Informationen

Sputtertargets sind ein wesentlicher Bestandteil zahlreicher Dünnschichtabscheidungstechniken in der modernen Fertigungs- und Halbleiterindustrie. Ihre Leistung hat direkten Einfluss auf die Prozessstabilität und die Schichtqualität. Materialien wie Ga2S3 werden aufgrund ihrer chemischen Stabilität und ihrer elektrischen Eigenschaften ausgewählt, die für eine gleichmäßige Schichtabscheidung und die Integrität der Bauelemente entscheidend sind.

Das Verständnis der zugrundeliegenden Materialwissenschaft, einschließlich des Phasenverhaltens und der mikrostrukturellen Kontrolle, ist für die Optimierung der Sputterverfahren unerlässlich. Die Forschung in diesen Bereichen entwickelt sich ständig weiter, wobei kontinuierliche Verbesserungen bei der Herstellung von Targets zu effizienteren und zuverlässigeren Abscheidungssystemen beitragen.