ST11187 Kupfer-Titan-Drehscheibe, CuTi Target

Katalog-Nr.	ST11187
Zusammensetzung	Cu, Ti
Reinheit	≥99,5%, oder kundenspezifisch
Formular	Ziel
Formular	Röhrenförmig
Abmessungen	Kundenspezifisch

Das Kupfer-Titan-Rotations-Target (CuTi-Target) wurde für physikalische Aufdampfprozesse mit präziser metallurgischer Kontrolle entwickelt. Stanford Advanced Materials (SAM) führt während der Produktion elektronenmikroskopische und spektrographische Analysen durch, um die Homogenität der Legierung und die mikrostrukturelle Konsistenz zu überprüfen. Dieser datengesteuerte Qualitätskontrollprozess minimiert Schwankungen in der Zusammensetzung und verbessert die Gleichmäßigkeit der Abscheidung, so dass das Target auch für anspruchsvolle Beschichtungsvorgänge geeignet ist.

ANFRAGE

Beschreibung

Spezifikation

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FAQ

Welchen Einfluss hat die Kupfer-Titan-Zusammensetzung auf die Sputtering-Leistung?

Die ausgewogene Zusammensetzung der Legierung steuert die Sputterausbeute und die Abscheidungsrate. Ihre mikrostrukturelle Einheitlichkeit wirkt sich auf die Gleichmäßigkeit der dünnen Schichten auf den Substraten aus. Diese Gleichmäßigkeit ist entscheidend für Anwendungen, bei denen die Schichtdicke und die Haftung für die Leistung der Geräte entscheidend sind.

Welche Maßnahmen zur Qualitätskontrolle werden während der Produktion durchgeführt?

SAM verwendet Elektronenmikroskopie und spektrografische Analysen, um die Homogenität der Legierung zu überwachen und mikrostrukturelle Defekte zu erkennen. Dadurch wird sichergestellt, dass das Sputtering-Target enge Zusammensetzungstoleranzen einhält, was für ein vorhersehbares Abscheidungsverhalten über verschiedene Produktionschargen hinweg unerlässlich ist.

Ist das CuTi-Target für den Einsatz in Hochleistungs-Sputteranlagen geeignet?

Ja, das Target ist für Hochleistungsumgebungen ausgelegt. Die spezielle Legierungszusammensetzung und die kontrollierte Mikrostruktur helfen bei der Bewältigung der thermischen Belastung und der Erosionseigenschaften und tragen zu einem stabilen Betrieb in Systemen bei, die eine lange Lebensdauer des Targets erfordern.

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