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ST11184 Kupfer-Indium-Gallium Planar Sputtering Target, CIG Target

Katalog-Nr. ST11184
Zusammensetzung Cu, In, Ga
Reinheit ≥99,995%, oder kundenspezifisch
Formular Ziel
Formular Rechteckig
Abmessungen Kundenspezifisch

Das planare Kupfer-Indium-Gallium-Sputter-Target (CIG-Target) ist ein Sputtermaterial, das mit einer kontrollierten Zusammensetzung für Anwendungen zur Dünnschichtabscheidung hergestellt wird. Stanford Advanced Materials (SAM) verwendet fortschrittliche Vakuumabscheidungs- und Oberflächeninspektionstechniken, wie z. B. die REM-Analyse, um die Gleichmäßigkeit der Mikrostruktur und die Präzision der Zusammensetzung zu überwachen. Das Verfahren umfasst systematische Chargenprüfungen, um sicherzustellen, dass jedes Target die strengen Kriterien für Abmessungen und Zusammensetzung erfüllt.

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FAQ

Welchen Einfluss hat die individuelle Größe des Sputtertargets auf die Gleichmäßigkeit der Schicht?

Maßgeschneiderte Abmessungen ermöglichen eine präzise Anpassung an die Geometrie der Beschichtungsanlage. Dadurch wird sichergestellt, dass die Plasmaverteilung über das Target optimiert wird, was zu einer gleichmäßigeren Dünnschicht auf dem Substrat führt. Die Anpassung der Targetgröße kann dazu beitragen, die Abscheideraten und die Schichtdicke gleichmäßig zu halten. Kontaktieren Sie uns für weitere Informationen.

Welche Rolle spielt die Legierungszusammensetzung für die Leistung des Sputterprozesses?

Die spezifische Legierungszusammensetzung von Kupfer, Indium und Gallium wirkt sich sowohl auf die Sputterausbeute als auch auf die Mikrostruktur des Films aus. Die Aufrechterhaltung eines strengen Gleichgewichts der Zusammensetzung ist entscheidend für das Erreichen der gewünschten elektrischen und optischen Eigenschaften der abgeschiedenen Schichten. Der Prozess kann je nach den Anforderungen der Anwendung angepasst werden.

Welche Qualitätskontrollmaßnahmen werden während der Produktion ergriffen, um die Verunreinigung durch Partikel zu minimieren?

Die Qualitätskontrolle umfasst die Überprüfung der Oberflächenreinheit mittels optischer Mikroskopie und Partikelzählung. Diese Maßnahmen stellen sicher, dass die Verunreinigungen unter den kritischen Grenzwerten bleiben und somit die Integrität und Konsistenz der Zieloberfläche während des Sputterns erhalten bleibt. Kontaktieren Sie uns für umfassende Prozessdetails.

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