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ST11179 Cobalt-Eisen-Tantal-Bor-Planar-Target, CoFeTaB-Target

Katalog-Nr. ST11179
Zusammensetzung CoFeTaB
Reinheit ≥99,9%, oder kundenspezifisch
Formular Ziel
Formular Rechteckig
Abmessungen Kundenspezifisch

Das planare Kobalt-Eisen-Tantal-Bor-Target (CoFeTaB-Target) wird mit präziser Elementkontrolle und einer flachen, gleichmäßigen Oberfläche hergestellt, die für die Sputterabscheidung optimiert ist. Stanford Advanced Materials (SAM) setzt spektrometrische Analysen und mikrostrukturelle Inspektionen während der Produktion ein, um die Homogenität der Legierung zu überwachen. Die Prozessparameter werden streng gemessen, um eine kontrollierte Schichterosion und Abscheidungsrate aufrechtzuerhalten und sicherzustellen, dass jedes Target während der Verarbeitung eine gleichbleibende Leistung erbringt.

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FAQ

Wie verbessert das planare Design des CoFeTaB-Targets die Gleichmäßigkeit der Schichtabscheidung?

Die planare Geometrie sorgt für eine gleichmäßige Plasmaverteilung über die Target-Oberfläche während des Sputterns, was die lokale Erosion minimiert und eine gleichmäßige Schichtdicke fördert. Diese Gleichmäßigkeit ist entscheidend für die Aufrechterhaltung der Leistungsintegrität der abgeschiedenen Schichten in Halbleiteranwendungen.

Welche Qualitätskontrollmaßnahmen werden bei der Herstellung von CoFeTaB-Targets durchgeführt?

Die Produktion umfasst eine routinemäßige spektrometrische Analyse und eine detaillierte mikrostrukturelle Prüfung. Durch diese Maßnahmen werden die Legierungszusammensetzung und die Einheitlichkeit der Zieloberfläche überprüft, wodurch Schwankungen in der Abscheidungsleistung verringert werden. Für weitere Details kontaktieren Sie uns bitte.

Können die Abmessungen des Targets an bestimmte Sputtering-Systeme angepasst werden?

Ja, die Abmessungen des Targets sind anpassbar und ermöglichen die Integration in verschiedene Sputteranlagen. Die Anpassung der Targetgröße erleichtert die optimale Ausrichtung und die Gleichmäßigkeit der Abscheidung in verschiedenen Fertigungskonfigurationen.

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