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ST11175 Cerium-Magnesium-Planar-Target, CeMg-Target

Katalog-Nr. ST11175
Zusammensetzung CeMg
Reinheit ≥99,9%, oder kundenspezifisch
Formular Ziel
Formular Rechteckig
Abmessungen Kundenspezifisch

Cerium Magnesium Planar Target, CeMg Target ist ein Sputtertarget, das für Vakuumabscheidungsprozesse entwickelt wurde, bei denen kontrollierte Legierungseigenschaften wichtig sind. Dieses von Stanford Advanced Materials (SAM) hergestellte Produkt profitiert von SAMs Fachwissen in der Verarbeitung von Seltenerdlegierungen und strengen Qualitätskontrollprotokollen unter Verwendung von Röntgenfluoreszenzanalysen. Der Produktionsprozess minimiert die Schwankungen in der Zusammensetzung und gewährleistet eine gleichbleibende Leistung während der Abscheidung.

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FAQ

Welche Rolle spielt die Gleichmäßigkeit der Legierung bei der Sputtering-Abscheidung mit dem CeMg-Target?

Die Gleichmäßigkeit der Legierung gewährleistet eine konstante Abscheidungsrate und Filmzusammensetzung während des Sputterns. Dadurch werden Schwankungen in der Schichtdicke minimiert, was für die Aufrechterhaltung der Geräteleistung bei Halbleiter- und optischen Anwendungen entscheidend ist. Kontaktieren Sie uns für weitere technische Details.

Wie wirkt sich die kontrollierte Zusammensetzung des CeMg-Targets auf die Filmhaftung aus?

Das präzise Cer-Magnesium-Verhältnis verbessert die physikalischen und chemischen Eigenschaften des Targets, was wiederum zu einer besseren Haftung des Films auf den Substraten führt. Dieser Faktor ist entscheidend für Anwendungen, die dauerhafte Beschichtungen erfordern. Kontaktieren Sie uns für weitere technische Informationen.

Kann das CeMg-Target für kundenspezifische Anforderungen an das Sputtersystem angepasst werden?

Ja, die Abmessungen und Eigenschaften des CeMg-Targets sind in einem kundenspezifischen Format erhältlich. Es kann an spezifische Konfigurationen von Sputtering-Systemen angepasst werden, um optimale Abscheidungsbedingungen zu gewährleisten. Kontaktieren Sie uns für Anpassungsoptionen.

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