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ST11174 Planares Kadmiumsulfid-Target, CdS-Target

Katalog-Nr. ST11174
Zusammensetzung CdS
Reinheit ≥99,99%, oder kundenspezifisch
Formular Ziel
Formular Rechteckig
Abmessungen Kundenspezifisch

Das planare Cadmiumsulfid-Target (CdS-Target) wird mit präzisen Abscheidetechniken hergestellt, um eine gleichmäßige, ebene Oberfläche für Sputtering-Anwendungen zu erzeugen. Stanford Advanced Materials (SAM) setzt systematische Prozesskontrollen einschließlich Röntgenbeugung und optischer Mikroskopie zur Oberflächenbewertung ein. Bei der Herstellung wird auf eine gleichmäßige Zusammensetzung und Dicke geachtet, um sicherzustellen, dass das Target die strengen Spezifikationen für Halbleiterherstellungsprozesse erfüllt.

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FAQ

Wie wirkt sich die Planarität des CdS-Targets auf die Sputtering-Abscheidung aus?

Eine einheitliche, ebene Oberfläche gewährleistet eine gleichmäßige Sputterausbeute über das gesamte Target, was zu einer gleichmäßigen Schichtdicke auf den Substraten führt. Diese Gleichmäßigkeit verringert die Prozessvariabilität und verbessert die Reproduzierbarkeit bei der Herstellung von Halbleitern.

Welche Analyseverfahren werden zur Überprüfung der CdS-Zusammensetzung und Oberflächenqualität eingesetzt?

Techniken wie Röntgenbeugung, optische Mikroskopie und spektroskopische Analysen werden eingesetzt, um die Phasenzusammensetzung und die Gleichmäßigkeit der Oberfläche zu bewerten. Diese Maßnahmen tragen dazu bei, präzise Materialeigenschaften zu erhalten, die für Sputtering-Anwendungen entscheidend sind.

Kann das Target für verschiedene Konfigurationen des Sputtersystems angepasst werden?

Ja, das Target wird mit anpassbaren Abmessungen hergestellt, um verschiedenen Anforderungen an die Sputterkammer gerecht zu werden. Anpassungen der Größe und der Befestigungsmerkmale können vorgenommen werden, um die Kompatibilität mit bestimmten Halbleiterverarbeitungsanlagen zu optimieren. Für weitere Details kontaktieren Sie uns.

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