ST11172 Planares Aluminium-Zink-Indium-Silizium-Target, AlZnInSi-Target

Aluminium-Zink-Indium-Silizium-Planar-Target, AlZnInSi-Target Beschreibung

Das planare Aluminium-Zink-Indium-Silizium-Target, AlZnInSi-Target, wurde für die Sputterabscheidung in der Mikroelektronik und für Dünnschichtanwendungen entwickelt. Die einzigartige Multielementzusammensetzung gewährleistet eine ausgewogene Sputterausbeute, während die anpassbaren Abmessungen verschiedene Systemintegrationen unterstützen. Die kontrollierte planare Struktur erleichtert ein gleichmäßiges Schichtwachstum und minimiert Schwankungen in der Zusammensetzung, wodurch die spezifischen technischen Anforderungen der Halbleiterverarbeitung und Oberflächenbeschichtung erfüllt werden.

Planares Aluminium-Zink-Indium-Silizium-Target, AlZnInSi-Target Merkmale

*Die obigen Produktinformationen beruhen auf theoretischen Daten und dienen nur als Referenz. Tatsächliche Spezifikationen können abweichen.

Aluminium-Zink-Indium-Silizium-Planar-Target, AlZnInSi-Target Anwendungen

Elektronik
- Wird als Sputtertarget bei der Halbleiterabscheidung verwendet, um gleichmäßige Dünnfilmbeschichtungen zu erzielen, indem die kontrollierte Elementzusammensetzung genutzt wird.
- Bei der Herstellung von mikroelektronischen Bauteilen zur Erzeugung gleichmäßiger Sperrschichten, die die Defektdichte reduzieren.

Industrielle Beschichtungen
- Dient als Komponente in Systemen zur physikalischen Abscheidung aus der Gasphase zur Bildung von Schutzschichten auf industriellen Komponenten, die den Oberflächenverschleiß durch eine ausgewogene Legierungszusammensetzung verringern.
- Wird bei der Herstellung von dekorativen Beschichtungen eingesetzt, wo eine kontrollierte Gleichmäßigkeit des Films das Aussehen und die Haltbarkeit verbessert.

Geräte für erneuerbare Energien
- Wird bei der Abscheidung von Dünnschichten für Photovoltaikzellen verwendet, um den elektrischen Umwandlungswirkungsgrad durch die Nutzung der präzisen planaren Struktur und der gleichmäßigen Legierung zu verbessern.
- Wird bei der Herstellung von Sensoren in Systemen für erneuerbare Energien eingesetzt, um eine homogene Reaktion durch kontrollierte Sputtering-Abscheidung zu gewährleisten.

Planares Aluminium-Zink-Indium-Silizium-Target, AlZnInSi-Target-Verpackung

Das Target wird in antistatischen, gepolsterten Trägern verpackt, um mechanische Erschütterungen und Partikelkontamination zu begrenzen. Die Verpackung enthält Feuchtigkeitsbarrieren und temperaturbeständige Materialien für optimalen Schutz während des Versands und der Lagerung. Das Produkt wird in Beuteln mit inerter Atmosphäre versiegelt, um das Oxidationsrisiko zu verringern. Maßgeschneiderte Verpackungsoptionen sind erhältlich, um speziellen Handhabungs- oder Installationsanforderungen gerecht zu werden.

Zusätzliche Informationen

Die Entwicklung von Sputtertargets setzt ein umfassendes Verständnis des Materialverhaltens unter Plasmabedingungen voraus. Für das Sputtern optimierte Legierungszusammensetzungen weisen einzigartige Wechselwirkungen mit ionisierten Gasen auf, die Abscheideraten und Schichteigenschaften verändern können. Ingenieure verlassen sich bei der Feinabstimmung der Sputterparameter häufig auf detaillierte Prozesssimulationen und iterative Tests.

Im weiteren Sinne haben die Fortschritte bei den Sputtertargets wesentlich zur Verbesserung der Halbleiterherstellung und der Dünnschichttechnologien beigetragen. Verbesserte Materialkonsistenz und kontrollierte Abscheidungsprozesse sind von zentraler Bedeutung für die Verbesserung der Leistung verschiedener industrieller Anwendungen, von der Elektronik bis zu Energieumwandlungssystemen.