ST11168 Planares Aluminiumoxid-Sputter-Target, Al2O3-Target

Planares Aluminiumoxid-Sputter-Target, Al2O3-Target Beschreibung

Das planare Aluminiumoxid-Sputter-Target (Al2O3-Target) besteht aus hochreinem Aluminiumoxid (Al2O3), das für Sputteranwendungen formuliert wurde. Sein planares Design gewährleistet die Kompatibilität mit Standardabscheidungssystemen, indem es einen gleichmäßigen Abstand zwischen Target und Substrat gewährleistet. Diese Geometrie minimiert Kanteneffekte während des Sputterns, fördert ein gleichmäßiges Schichtwachstum und reduziert die Verunreinigung durch Partikel. Die strenge Kontrolle der Zusammensetzung des Targets unterstützt ein stabiles Sputterverhalten und reproduzierbare Dünnschichteigenschaften, was für Halbleiter- und optische Komponentenprozesse von Vorteil ist.

Planares Sputtertarget aus Aluminiumoxid, Al2O3 Targetmerkmale

*Die obigen Produktinformationen beruhen auf theoretischen Daten und dienen nur als Referenz. Tatsächliche Spezifikationen können abweichen.

Planares Aluminiumoxid-Sputtering-Target, Al2O3-Target Anwendungen

Elektronik
- Wird als Abscheidungs-Target in Sputtering-Systemen verwendet, um gleichmäßige dünne Schichten für Halbleiterbauelemente zu erzielen, indem die hochreine Aluminiumoxid-Zusammensetzung des Targets genutzt wird.
- Anwendung als Beschichtungsquelle bei der Herstellung optischer Displays zur Kontrolle der Schichtdicke und -qualität, um minimale Partikelfehler zu gewährleisten.

Industriell
- Einsatz als Sputtertarget bei der Herstellung von Schutzschichten für Flachbildschirme durch Nutzung der planaren Geometrie für eine gleichmäßige Materialverteilung.
- Integriert in die Herstellung dielektrischer Schichten in Sensoranwendungen, um eine stabile und reproduzierbare Abscheidungsumgebung zu erreichen.

Planares Aluminiumoxid-Sputter-Target, Al2O3-Target-Verpackung

Das Target ist sicher in antistatischen, mit Schaumstoff ausgekleideten Behältern mit Inertgaspolsterung verpackt, um Beschädigungen und Verunreinigungen zu vermeiden. Es wird bei Umgebungstemperatur in einer sauberen, trockenen Einrichtung gelagert, um die Unversehrtheit der Oberfläche zu bewahren. Maßgeschneiderte Verpackungslösungen, einschließlich vakuumversiegelter Beutel und unterteilter Boxen, sind je nach den spezifischen Handhabungsanforderungen und Versandbedingungen erhältlich.

Zusätzliche Informationen

Sputtern ist eine weit verbreitete Technik der physikalischen Gasphasenabscheidung, bei der Targets wie Aluminiumoxid für die Erzeugung dünner, gleichmäßiger Schichten unerlässlich sind. Die planare Geometrie des Targets ermöglicht eine effektive Energieverteilung während des Sputterns, was für hochpräzise Anwendungen bei der Herstellung von Halbleitern und optischen Geräten entscheidend ist. Die Aufrechterhaltung einer hohen Reinheit und kontrollierter Oberflächeneigenschaften ist für die Reproduzierbarkeit des Prozesses unabdingbar.

Aluminiumoxid, auch bekannt als Tonerde, weist eine ausgezeichnete chemische Inertheit und mechanische Festigkeit auf, was es zu einem bevorzugten Material für verschiedene Keramikanwendungen macht. Die Kenntnis seiner thermischen und dielektrischen Eigenschaften hilft den Ingenieuren bei der Optimierung der Abscheidungsprozesse und gewährleistet, dass die Leistung der Bauteile den strengen Industriestandards entspricht.

Fall

ASML-Lithographie-Maschinenobjektiv

193nm Anti-Reflexions-Beschichtungssystem

Substrat: Synthetischer Quarz | Abscheidungstemperatur: 150°C

Leistungsnachweis:

Einseitiger Reflexionsverlust < 0,08%

Wellenfront-Verzerrung < λ/40 @ 193nm

Prozessplan: Ionenstrahl-unterstützte Abscheidung (IAD) zur Optimierung der Dichte