SN11897 Siliziumnitrid-Halbleiterchuck

Siliziumnitrid-Halbleiterchuck Beschreibung

Siliziumnitrid-Halbleiterchuck ist eine Trägerkomponente, die in der Halbleiterherstellung weit verbreitet ist. Dieser Chuck besteht aus Si3N4 und bietet eine chemisch inerte und thermisch stabile Plattform, die hohen Verarbeitungstemperaturen standhält. Seine kontrollierte Mikrostruktur verbessert die Wärmeleitfähigkeit, die für die Wärmeableitung während der Prozesszyklen von entscheidender Bedeutung ist, während seine mechanischen Eigenschaften die Formbeständigkeit unter Betriebsbelastungen gewährleisten.

Eigenschaften von Siliziumnitrid-Halbleiterchucks

*Die obigen Produktinformationen beruhen auf theoretischen Daten und dienen nur als Referenz. Tatsächliche Spezifikationen können abweichen.

Siliziumnitrid-Halbleiterchuck Anwendungen

Halbleiter-Verarbeitung
- Verwendung als Wafer Chuck in Plasmaätzsystemen zur Erzielung einer gleichmäßigen Temperaturverteilung durch Ausnutzung der hohen Wärmeleitfähigkeit und geringen Wärmeausdehnung.
- Einsatz als Träger in Anlagen für die schnelle thermische Verarbeitung, um ein gleichmäßiges Wärmemanagement zu erreichen, indem die chemische Inertheit und strukturelle Steifigkeit genutzt wird.

Industrielle Ausrüstung
- Wird als Halterung in Hochtemperaturmesssystemen verwendet, um durch die Nutzung der mechanischen Festigkeit und der Beständigkeit gegen Temperaturschocks Maßhaltigkeit zu erreichen.

Siliziumnitrid-Halbleiter-Chuck-Packung

Siliziumnitrid-Halbleiterchucks werden in antistatischen, feuchtigkeitsbeständigen Materialien verpackt und in gepolsterten, staubdichten Behältern gesichert. Die Verpackung ist so konzipiert, dass Stöße abgeschwächt und Verunreinigungen verhindert werden. Die Produkte werden unter kontrollierten Temperaturbedingungen gelagert, um die Materialeigenschaften während des Transports und der Lagerung zu erhalten. Kundenspezifische Verpackungslösungen sind auf Anfrage erhältlich, um spezifische Handhabungsanforderungen zu erfüllen.

Zusätzliche Informationen

Siliziumnitridkeramiken, wie sie in diesem Halbleiterfutter verwendet werden, werden wegen ihrer hohen Temperaturstabilität und chemischen Inertheit geschätzt. Aufgrund dieser Eigenschaften eignen sie sich für den Einsatz in Umgebungen, in denen thermische Spannungen und korrosive Atmosphären üblich sind. Fortschritte in der Keramikverarbeitung haben eine präzise Kontrolle der Mikrostruktur ermöglicht, was sich direkt auf die Leistung in anspruchsvollen Halbleiteranwendungen auswirkt.

Das Verständnis der inhärenten Eigenschaften von Si3N4 hilft den Ingenieuren bei der Auswahl der geeigneten Materialien für Halbleiterprozesswerkzeuge. Das Zusammenspiel von Wärmeleitfähigkeit, mechanischer Festigkeit und chemischer Beständigkeit spielt eine entscheidende Rolle bei der Sicherstellung der Genauigkeit der Bauelemente und der Wiederholbarkeit der Prozesse in modernen Fertigungsumgebungen.