SC9961 Reaktionsgebundener Siliziumkarbid-Träger 80 x 40 mm

Reaktionsgebundener Siliziumkarbid-Strahl 80 x 40 mm Beschreibung

Reaction Bonded Silicon Carbide Beam 80 x 40 mm wird durch ein Reaktionsbindungsverfahren hergestellt, das eine keramische Komponente auf SiC-Basis mit einer Mindestreinheit von 92 % und einer Dichte von ca. 3,0 g/cm³ bildet. Die festen Abmessungen gewährleisten die Kompatibilität in Konstruktionen, die ein geregeltes thermisches Verhalten erfordern. Die Materialeigenschaften unterstützen Anwendungen, die eine thermische Belastung von bis zu 1300 ℃ beinhalten, sowie Umgebungen, die konstante mechanische Eigenschaften unter Hochtemperaturbedingungen erfordern.

Reaktionsgebundener Siliziumkarbid-Träger 80 x 40 mm Anwendungen

1.industrielle Anwendungen
- Verwendung als tragende Stütze in Ofenauskleidungen zur Beherrschung der thermischen Ausdehnung durch Ausnutzung der Formstabilität bei großer Hitze.
- Anwendung als Komponente in thermischen Verarbeitungsanlagen, um durch kontrollierte Materialeigenschaften eine konstante strukturelle Leistung zu erzielen.

2.elektronik und halbleitersysteme
- Dient als Substrat in Hochtemperatur-Sensorgehäusen, um Materialverformungen durch sein vorhersehbares thermisches Verhalten zu verhindern.
- Wird häufig bei der Verpackung von Schaltkreisen verwendet, um die Geometrie beizubehalten und hitzebedingte Spannungen zu verringern, indem die definierte Zusammensetzung des Materials genutzt wird.

3.allgemeine Forschung und Entwicklung
- Verwendung als Prüfkörper in Hochtemperatur-Materialstudien zur Beobachtung von Mikrostrukturveränderungen durch Ausnutzung der bekannten Betriebsgrenze.
- Anwendung als Kalibrierungsstandard in thermischen Analysegeräten zur Erzielung wiederholbarer Ergebnisse durch die Verwendung seiner gleichbleibenden physikalischen Eigenschaften.

Reaktionsgebundener Siliziumkarbidstrahl 80 x 40 mm Verpackung

Der Strahl wird einzeln in einer antistatischen Verpackung verpackt und in mit Schaumstoff ausgekleideten Behältern mit Feuchtigkeitsbarriere gesichert, um physische Schäden und Verunreinigungen zu vermeiden. Starre Einsätze minimieren die Bewegung während des Transports, während die Verpackung versiegelt ist, um den Kontakt mit atmosphärischer Feuchtigkeit zu reduzieren. Zur Lagerung wird eine trockene, temperaturkontrollierte Umgebung empfohlen. Kundenspezifische Verpackungslösungen, einschließlich etikettierter Fächer, sind auf Anfrage erhältlich.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie wirkt sich der Reaktionsbondprozess auf die Mikrostruktur des SiC-Strahls aus?
A1: Der Reaktionsbindungsprozess erleichtert die kontrollierte Bildung der SiC-Matrix, reduziert die Porosität und gewährleistet eine gleichmäßige Kornstruktur. Dies unterstützt die vorhersehbare mechanische Leistung bei hohen Temperaturen und verbessert die Konsistenz des Materialverhaltens.

F2: Welche Lagerungsbedingungen werden empfohlen, um die Eigenschaften des Materials zu erhalten?
A2: Es wird empfohlen, den Balken in einer trockenen, temperaturstabilen Umgebung zu lagern, um die Feuchtigkeitsaufnahme und Wärmeschwankungen zu begrenzen. Die Verwendung einer antistatischen, gepolsterten Verpackung minimiert außerdem das Risiko mechanischer Belastungen und Oberflächenbeschädigungen während der Handhabung.

F3: Inwiefern beeinflusst ein Reinheitsgrad von ≥92% die technische Leistung des Strahls?
A3: Ein Reinheitsgrad von 92 % oder höher verringert das Vorhandensein von Sekundärphasen, die die Wärmeausdehnung beeinträchtigen könnten. Dies führt zu einer gleichmäßigeren Leistung bei Temperaturschwankungen und trägt zu einem präzisen Materialverhalten bei anspruchsvollen Anwendungen bei.

Zusätzliche Informationen

Siliciumcarbid weist eine kovalent gebundene Kristallstruktur auf, die dem Material einen hohen Schmelzpunkt und eine bemerkenswerte Widerstandsfähigkeit gegen thermische Degradation verleiht. Die Reaktionsbindungsmethode bietet eine kostengünstige Möglichkeit zur Herstellung von SiC-Bauteilen unter Beibehaltung einer kontrollierten Mikrostruktur, die sowohl die Wärmeleitfähigkeit als auch die mechanische Steifigkeit beeinflusst.

Die Anwendungen von Siliziumkarbid in Hochtemperaturumgebungen machen es zu einem Gegenstand von Interesse in vielen F&E-Studien. Seine chemische Inertheit und seine Fähigkeit, erheblichen thermischen Gradienten standzuhalten, ermöglichen es Ingenieuren, Bauteile zu entwerfen, die unter extremen Bedingungen funktionieren und zu Fortschritten in der industriellen Verarbeitung, der Elektronik und der Materialforschung beitragen.