SC9956 Reaktionsgebundener Siliziumkarbid-Träger 60 x 60 mm

Reaktionsgebundener Siliziumkarbid-Träger 60 x 60 mm Beschreibung

Der reaktionsgebundene Siliziumkarbidbalken 60 x 60 mm, hergestellt aus SiC mit einer Reinheit von ≥92% und einer Dichte von ca. 3,0 g/cm³, ist für anspruchsvolle thermische Umgebungen konzipiert. Seine genauen Abmessungen von 60 x 60 mm gewährleisten die Kompatibilität mit Präzisionsgeräten, während das Reaktionsbindungsverfahren die mikrostrukturelle Integrität verbessert, die für die Aufrechterhaltung der Leistung bis zu 1300 ℃ entscheidend ist. Das technische Material eignet sich für Anwendungen, die stabile mechanische Festigkeit und Wärmemanagement erfordern.

Reaktionsgebundene Siliziumkarbid-Träger 60 x 60 mm Anwendungen

Industrielle Anwendungen
- Verwendung als Strukturträger in Hochtemperaturöfen zur Erzielung von Leistungsstabilität durch Ausnutzung der thermischen Toleranz des Materials.
- Anwendung als Wärmespreizer in Wärmemanagementsystemen zur effizienten Energieverteilung durch Ausnutzung der kontrollierten Reinheit und Dichte des Strahls.

Elektronik- und Halbleiteranwendungen
- Wird als Substratkomponente in elektronischen Hochleistungsbaugruppen eingesetzt, um eine konsistente Wärmeregulierung zu erreichen, indem die Maßgenauigkeit und Materialintegrität des Materials genutzt wird.

Reaktionsgebundener Siliziumkarbidstrahl 60 x 60 mm Verpackung

Der Träger wird in antistatischen, mit Schaumstoff ausgekleideten Behältern verpackt, um die mechanische Belastung und das Kontaminationsrisiko zu minimieren. Er wird in Schutzmaterialien eingewickelt und unter klimatisierten Bedingungen gelagert, um seine thermischen und strukturellen Eigenschaften zu erhalten. Für spezielle Transport- und Lageranforderungen sind kundenspezifische Verpackungsoptionen erhältlich, die sicherstellen, dass das Material während der gesamten Lieferkette in optimalem Zustand bleibt.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Welche Qualitätskontrollmaßnahmen werden für diesen SiC-Strahl durchgeführt?
A1: Der Strahl wird während der Produktion einer systematischen REM-Bildgebung und XRD-Analyse unterzogen, um eine einheitliche Mikrostruktur und eine konsistente Bindung zu gewährleisten, die für seine Leistung in Hochtemperaturumgebungen unerlässlich sind.

F2: Wie wirkt sich die SiC-Reinheit auf die Leistung des Strahls bei erhöhten Temperaturen aus?
A2: Ein Reinheitsgrad von ≥92% minimiert die Defekte in der Keramikmatrix und verbessert so die thermische Stabilität und mechanische Belastbarkeit des Strahls bei Temperaturen bis zu 1300 ℃.

F3: Welche Lagerungsbedingungen werden empfohlen, um die Eigenschaften des Strahls zu erhalten?
A3: Es ist ratsam, den Balken in einer trockenen, temperaturgeregelten Umgebung zu lagern, um Feuchtigkeitsaufnahme und thermischen Abbau zu verhindern und sicherzustellen, dass seine strukturellen und thermischen Eigenschaften intakt bleiben.

Zusätzliche Informationen

Siliziumkarbidkeramik wird wegen ihrer außergewöhnlichen thermischen und mechanischen Eigenschaften geschätzt. Das bei ihrer Herstellung angewandte Reaktionsbindungsverfahren verbessert die Gleichmäßigkeit und Stabilität des Materials, wodurch sie sich für Anwendungen in industriellen Hochtemperaturumgebungen eignet. Dieses Verfahren ermöglicht auch eine präzise Kontrolle der mikrostrukturellen Eigenschaften, was für eine gleichbleibende Leistung entscheidend ist.

Ein Verständnis der Grundlagen der Keramikverarbeitung kann einen Einblick in das Anwendungspotenzial des Materials geben. Fortschritte bei den Verbindungstechniken in Verbindung mit einer strengen Qualitätskontrolle ermöglichen die Entwicklung von SiC-Komponenten, die strenge Leistungskriterien erfüllen und praktikable Lösungen für das Wärmemanagement und strukturelle Anwendungen in verschiedenen Branchen bieten.