SC9955 Reaktionsgebundener Siliziumkarbid-Träger 60 x 50 mm

Reaktionsgebundener Siliziumkarbid-Träger 60 x 50 mm Beschreibung

Der reaktionsgebundene Siliziumkarbid-Träger 60 x 50 mm wird aus Siliziumkarbid mit einer Reinheit von ≥92% und einer Dichte von ~3,0 g/cm³ hergestellt. Die präzisen Abmessungen des Bauteils gewährleisten die Kompatibilität mit industriellen Anlagen, die eine konstante Geometrie für Hochtemperaturoperationen erfordern. Die reaktionsgeklebte Struktur verbessert die Integrität und thermische Stabilität des Materials, so dass es in Umgebungen eingesetzt werden kann, in denen es auf Maßgenauigkeit und Temperaturwechselbeständigkeit ankommt.

Reaktionsgebundener Siliziumkarbid-Träger 60 x 50 mm Anwendungen

1.industrielle Fertigung
- Verwendung als Strukturelement in Hochtemperaturverarbeitungsanlagen, um durch die Nutzung der gebundenen Mikrostruktur eine stabile mechanische Leistung zu erzielen.
- Anwendung als Stützkomponente in Ofenbaugruppen zur Minimierung der thermischen Verformung durch Nutzung der inhärenten Dichte und thermischen Eigenschaften.

2.elektronische Verarbeitung
- Dient als Basismaterial in Handhabungssystemen für Halbleiter, um eine inerte und robuste Plattform zu erhalten, die Verunreinigungsrisiken reduziert und Maßgenauigkeit gewährleistet.

Reaktionsgebundener Siliziumkarbidbalken 60 x 50 mm Verpackung

Der Träger wird in stoßdämpfenden, mit Schaumstoff ausgekleideten Behältern verpackt und in antistatisches Material eingewickelt, um Verunreinigungen und mechanische Schäden zu vermeiden. Er wird bei kontrollierter Temperatur und niedriger Luftfeuchtigkeit gelagert, um seine Eigenschaften zu erhalten. Für spezielle Anforderungen können Kunden maßgeschneiderte Verpackungsoptionen anfordern, die Feuchtigkeitsbarrieren und temperaturregulierte Containment-Lösungen umfassen.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Was ist das Besondere am reaktionsgebundenen Verfahren, das für diesen SiC-Strahl verwendet wird?
A1: Das reaktionsgebundene Verfahren bildet eine gleichmäßig dichte Mikrostruktur, die die thermische Stabilität und die Maßgenauigkeit verbessert, wodurch sich der Träger für industrielle Hochtemperaturanwendungen eignet.

F2: Wie wird die Qualität des Produkts während der Herstellung gemessen?
A2: Die Qualität wird durch eine Echtzeit-Bewertung der Mikrostruktur mit Techniken wie Röntgenbeugung und Rasterelektronenmikroskopie überwacht, um sicherzustellen, dass der SiC-Strahl die erforderlichen Reinheits- und Geometrienormen erfüllt.

F3: Können die Abmessungen des Strahls oder die Bearbeitungsparameter individuell angepasst werden?
A3: Ja, kundenspezifische Anpassungen sind auf Anfrage möglich. Anpassungen der Abmessungen oder Prozessbedingungen sind möglich, wobei die wesentlichen SiC-Eigenschaften, die für bestimmte industrielle Anwendungen erforderlich sind, erhalten bleiben.

Zusätzliche Informationen

Die thermische und chemische Stabilität von Siliziumkarbid macht es zu einem Schwerpunkt der Forschung im Bereich der Hochleistungskeramik. Die Reaktionsbindung trägt zur Erzielung gleichmäßiger Mikrostrukturen bei, was bei der Konstruktion von Bauteilen für extreme Temperaturbereiche von entscheidender Bedeutung ist. Durch Fortschritte bei den Verarbeitungstechniken werden die Eigenschaften des Materials weiter verfeinert und bieten neue Möglichkeiten für die Integration in industrielle Systeme und elektronische Verarbeitungsgeräte.