SC9954 Reaktionsgebundener Siliziumkarbid-Träger 60 x 40 mm

Reaktionsgebundener Siliciumcarbid-Träger 60 x 40 mm Beschreibung

Der reaktionsgebundene Siliziumkarbidbalken 60 x 40 mm wird in einem Reaktionsbondverfahren hergestellt, bei dem eine SiC-Matrix mit einem Reinheitsgrad von mindestens 92 % und einer Dichte von etwa 3,0 g/cm³ entsteht. Die Abmessungen des Strahls gewährleisten die Kompatibilität mit festen Befestigungssystemen in industriellen Aufbauten, die eine hohe Temperaturstabilität erfordern. Sein Betriebstemperaturbereich von bis zu 1300 ℃ und seine kontrollierte Mikrostruktur unterstützen Anwendungen, die eine konstante mechanische und thermische Leistung erfordern.

Reaktionsgebundener Siliziumkarbid-Träger 60 x 40 mm Anwendungen

Industrielle Verarbeitungsanwendungen
- Verwendung als feuerfester Träger in Ofenstrukturen zur Aufrechterhaltung der Maßstabilität durch Ausnutzung der hohen Betriebstemperaturtoleranz des Trägers.
- Anwendung als verschleißfeste Komponente in Hochtemperatur-Materialtransportsystemen zur Minimierung der Degradation durch Nutzung seiner kontrollierten Zusammensetzung und Dichte.

Halbleiter- und Hochtemperaturanlagen
- Dient als Strukturelement in Halbleiterverarbeitungsanlagen, um eine präzise Ausrichtung zu erreichen, indem es seine definierten Abmessungen und thermische Stabilität nutzt.
- Wird häufig in Hochtemperatur-Sensorgehäusen verwendet, um durch die SiC-Zusammensetzung und Hitzebeständigkeit eine mechanische Unterstützung zu bieten.

Reaktionsgebundener Siliziumkarbid-Träger 60 x 40 mm Packung

Der reaktionsgebundene Siliziumkarbidbalken 60 x 40 mm ist in einem mit Schaumstoff ausgekleideten, antistatischen Behälter mit Feuchtigkeitsbarriere verpackt, um physische Schäden und Verunreinigungen zu vermeiden. Die Verpackung ist für die Lagerung in einer kühlen, trockenen Umgebung ausgelegt und enthält eine Polsterung, um Stöße während des Transports abzufedern. Kundenspezifische Beschriftungen und zusätzliche Schutzmaßnahmen sind auf Anfrage erhältlich, um speziellen Handhabungsanforderungen gerecht zu werden.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Welche Maßnahmen zur Qualitätskontrolle werden während der Produktion durchgeführt?
A1: SAM führt Dichtemessungen und mikrostrukturelle Inspektionen mit Hilfe der Rasterelektronenmikroskopie durch, um die SiC-Zusammensetzung zu überprüfen und die Konstanz der Abmessungen während der gesamten Produktion sicherzustellen.

Q2: Wie verhält sich der SiC-Strahl bei wiederholten Temperaturwechseln?
A2: Die kontrollierte Mikrostruktur und die geringe Porosität ermöglichen es dem Träger, thermischen Schwankungen standzuhalten und die strukturelle Integrität und Maßhaltigkeit bei längerer Hochtemperaturbelastung zu erhalten.

F3: Sind für die Abmessungen des Trägers Anpassungsmöglichkeiten vorhanden?
A3: Ja, die Abmessungen können auf der Grundlage von technischen Zeichnungen angepasst werden. Anpassungswünsche werden auf ihre Durchführbarkeit geprüft und durch Präzisionsbearbeitung bearbeitet, um die spezifischen Anwendungsanforderungen zu erfüllen.

Zusätzliche Informationen

Reaktionsgebundenes Siliciumcarbid entsteht durch einen kontrollierten Infiltrationsprozess, bei dem Silicium mit einer Kohlenstoffvorform reagiert und eine SiC-Matrix mit definierten Gefügeeigenschaften bildet. Dieser Prozess ermöglicht die Kontrolle über Dichte, Maßgenauigkeit und thermische Eigenschaften, die für Hochtemperaturanwendungen unerlässlich sind.

Das Verständnis der Beziehungen zwischen Zusammensetzung, Mikrostruktur und thermischer Leistung ist in der keramischen Werkstoffkunde von entscheidender Bedeutung. Detaillierte Kenntnisse über Reaktionsbindungsprozesse erleichtern die Konstruktion und Integration von SiC-Komponenten in industrielle Systeme, bei denen Stabilität und Leistung unter variablen thermischen Belastungen erforderlich sind.