SC9948 Reaktionsgebundener Siliziumkarbid-Träger 40 x 25 mm

Reaktionsgebundener Siliciumcarbid-Träger 40 x 25 mm Beschreibung

Der reaktionsgebundene Siliziumkarbid-Träger 40 x 25 mm wird in einem Verfahren hergestellt, das ein kontinuierliches SiC-Netzwerk mit einem Reinheitsgrad von mindestens 92 % bildet. Seine Dichte von etwa 3,0 g/cm³ unterstützt die mechanische Steifigkeit und das Wärmemanagement in anspruchsvollen Anwendungen. Die Abmessungen von 40 x 25 mm gewährleisten die Kompatibilität mit Standard-Keramikbaugruppen. Darüber hinaus hält das Material Temperaturen von bis zu 1300 ℃ stand und eignet sich damit für Strukturbauteile in Hochtemperaturumgebungen.

Reaktionsgebundene Siliziumkarbid-Träger 40 x 25 mm Anwendungen

Industrielle Anwendungen
- Verwendung als tragende Stütze in Hochtemperatur-Verarbeitungsanlagen zur Erhaltung der Dimensionsstabilität durch Ausnutzung der kontrollierten Mikrostruktur des Materials.
- Einsatz als verschleißfeste Komponente in Schleifsystemen zur Minimierung der Erosion durch Ausnutzung der Eigensteifigkeit von Siliziumkarbid.

Elektronische Anwendungen
- Einsatz als Substrat in Sensorgehäusen zur Erzielung einer stabilen Leistung bei erhöhten Temperaturen durch Ausnutzung der thermischen Beständigkeit von SiC.
- Einsatz in Wärmemanagement-Baugruppen, um Probleme mit der Wärmeausdehnung durch Ausnutzung der strukturellen Integrität des Materials zu mindern.

Reaktionsgebundener Siliziumkarbidbalken 40 x 25 mm Verpackung

Der Träger wird in antistatischen, gepolsterten Behältern verpackt, um ihn vor mechanischen Stößen und Verunreinigungen zu schützen. Jede Einheit ist in inertes Schutzmaterial eingewickelt und in einer staubdichten Verpackung versiegelt. Für die Lagerung wird eine kontrollierte Umgebung mit niedriger Luftfeuchtigkeit und moderaten Temperaturen empfohlen, um die Materialeigenschaften zu erhalten. Kundenspezifische Verpackungsoptionen mit spezieller Beschriftung und Unterteilung sind erhältlich, um besondere logistische Anforderungen zu erfüllen.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie wirkt sich der Reaktionsbindungsprozess auf die Mikrostruktur des Siliziumkarbidstrahls aus?
A1: Durch das Reaktionsbondverfahren wird ein kontinuierliches SiC-Netzwerk mit kontrollierter Porosität geschaffen, das stabile mechanische Eigenschaften und eine hohe Temperaturbeständigkeit fördert. Die mikrostrukturelle Analyse mittels Elektronenmikroskopie bestätigt die gleichmäßige Bindung, die für die Aufrechterhaltung der Maßhaltigkeit während der thermischen Wechselbeanspruchung entscheidend ist.

F2: Welche Lagerungsbedingungen werden empfohlen, um die Materialeigenschaften des Trägers zu erhalten?
A2: Es ist ratsam, den Balken in einer temperaturgeregelten Umgebung mit geringer Luftfeuchtigkeit zu lagern. Eine Schutzverpackung, die Staub und mechanische Einwirkungen verhindert, ist unerlässlich, da plötzliche Temperaturschwankungen oder Feuchtigkeitseinwirkung das Mikrogefüge und die Leistung verändern können.

F3: Können die Abmessungen oder Eigenschaften des Strahls für bestimmte Anwendungen angepasst werden?
A3: Die Standardabmessungen sind 40 x 25 mm; eine kundenspezifische Anpassung kann jedoch in Betracht gezogen werden, nachdem die Produktionsparameter überprüft wurden und sichergestellt wurde, dass die Qualitätskontrollmaßnahmen die erforderlichen Spezifikationen erfüllen. Eine technische Bewertung ist erforderlich, um Änderungen ohne Beeinträchtigung der Materialintegrität vorzunehmen.

Zusätzliche Informationen

Siliziumkarbidkeramik hat sich in Umgebungen, die thermische Stabilität und chemische Inertheit erfordern, bestens bewährt. Die inhärenten Eigenschaften von SiC, einschließlich des hohen Schmelzpunkts und der geringen Wärmeausdehnung, machen es zu einer häufigen Wahl für Strukturkomponenten, die schweren Betriebsbedingungen ausgesetzt sind.

Das für diese keramischen Träger verwendete Reaktionsklebeverfahren ermöglicht ein reproduzierbares Gefüge, das für Anwendungen, die ein strenges Wärmemanagement erfordern, von Vorteil ist. Die Erforschung des Verhaltens von SiC-Materialien erweitert seine Verwendung in der Industrie, der Elektronik und der Feinmechanik und unterstützt die sich entwickelnden technischen Herausforderungen bei Hochtemperaturanwendungen.