SC9944 Reaktionsgebundener Siliziumkarbid-Träger 30 x 20 mm

Reaktionsgebundener Siliciumcarbid-Träger 30 x 20 mm Beschreibung

Der reaktionsgebundene Siliciumcarbid-Träger 30 x 20 mm wird durch ein kontrolliertes Reaktionsbindungsverfahren hergestellt, bei dem SiC-Partikel zu einer Dichte von etwa 3,0 g/cm³ verdichtet werden. Mit einer Reinheit von ≥92% bietet der Träger eine Maßgenauigkeit von 30 x 20 mm. Er hält Temperaturen von bis zu 1300℃ stand und eignet sich daher für Anwendungen, die thermische Stabilität und strukturelle Integrität unter erhöhten thermischen Bedingungen erfordern.

Reaktionsgebundener Siliziumkarbid-Träger 30 x 20 mm Anwendungen

Industrielle Anwendungen
- Verwendung als Strukturträger in Hochtemperaturverarbeitungssystemen, um durch die hohe thermische Beständigkeit eine dauerhafte Lastaufnahme zu erreichen.
- Anwendung als isolierende Komponente in chemischen Reaktoren, um die Wärmeverteilung durch seine gleichbleibende Dichte und Reinheit zu steuern.

Elektronik- und Halbleiteranwendungen
- Dient als Substrat in Halbleiterfertigungsanlagen, um eine präzise Ausrichtung und Wärmeableitung zu erreichen und profitiert dabei von seinen definierten Abmessungen und seinem thermischen Betriebsbereich.
- Wird häufig in Sensorgehäusen verwendet, um die Leistungsstabilität unter variablen Temperaturbedingungen aufrechtzuerhalten, wobei sein robustes keramisches Gerüst genutzt wird.

Reaktionsgebundener Siliziumkarbidstrahl 30 x 20 mm Verpackung

Der Träger wird in einem speziell entwickelten, mit Schaumstoff ausgekleideten Behälter verpackt, um mechanische Stöße während des Transports zu minimieren. Er ist in eine antistatische, feuchtigkeitsdichte Folie eingeschlossen, um Verunreinigungen zu vermeiden. In den Lagerungsanweisungen wird eine trockene, temperaturkontrollierte Umgebung empfohlen, um die Materialintegrität zu erhalten. Kundenspezifische Verpackungslösungen, wie z. B. zusätzliche Polsterung oder gekennzeichnete Fächer, sind auf Anfrage erhältlich, um spezifische Handhabungsanforderungen zu erfüllen.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Welche Qualitätskontrollmaßnahmen werden durchgeführt, um die mikrostrukturelle Konsistenz zu gewährleisten?
A1: Der Strahl wird einer thermischen Profilierung und einer mikroskopischen Untersuchung unterzogen, um seine Dichte und Kornstruktur zu bewerten. So wird sichergestellt, dass jede Einheit die strengen Qualitätsspezifikationen für industrielle Anwendungen erfüllt.

F2: Wie wirkt sich die angegebene Betriebstemperatur auf die Materialleistung aus?
A2: Bei einer Betriebstemperatur von bis zu 1300℃ behält der Träger seine strukturelle Stabilität und seine mechanischen Eigenschaften unter hohen thermischen Belastungen bei, wodurch Verformungen minimiert werden und eine gleichbleibende Leistung in anspruchsvollen Umgebungen gewährleistet wird.

F3: Ist eine Anpassung der Abmessungen des Trägers möglich?
A3: Die Standardabmessungen betragen 30 x 20 mm, SAM kann jedoch auf der Grundlage der Produktionskapazitäten und unter Berücksichtigung der Standards für Prozessüberprüfung und Qualitätskontrolle kundenspezifische Anpassungen vornehmen.

Zusätzliche Informationen

Reaction Bonding ist ein Sinterverfahren, bei dem SiC-Partikel durch kontrollierte chemische Reaktionen zu einer monolithischen Struktur verfestigt werden. Diese Technik ermöglicht die Beibehaltung feiner mikrostruktureller Merkmale, die zu den thermischen und mechanischen Eigenschaften des Materials beitragen. Diese Eigenschaften sind entscheidend für Anwendungen, die Stabilität bei Temperaturschwankungen erfordern.

Darüber hinaus werden reaktionsgebundene Keramiken wie dieser SiC-Träger in großem Umfang in industriellen Umgebungen eingesetzt, in denen sowohl eine hohe Dichte als auch eine hohe Wärmebeständigkeit erforderlich sind. Ihre Leistungsfähigkeit bei der Bewältigung thermischer Belastungen macht sie zu einem Gegenstand laufender Forschung in der fortgeschrittenen Materialwissenschaft, insbesondere für Anwendungen in der Hochtemperatur- und Präzisionsfertigung.