SC9942 Reaktionsgebundener Siliziumkarbid-Träger 20 x 20 mm

Reaktionsgebundener Siliciumcarbid-Träger 20 x 20 mm Beschreibung

Der reaktionsgebundene Siliziumkarbidbalken 20 x 20 mm wird durch ein Reaktionsbindungsverfahren hergestellt, bei dem Si-Pulver in eine kontinuierliche, thermisch stabile Matrix umgewandelt wird. Die Abmessungen des Balkens von 20 x 20 mm gewährleisten die Kompatibilität mit standardisierten Vorrichtungen in Hochtemperaturbearbeitungsanlagen. Seine Zusammensetzung von ≥92% SiC und seine Dichte von ~3,0 g/cm³ bieten mechanische Festigkeit und thermische Stabilität. Die Prozesskontrolle, einschließlich Phasenanalyse und Oberflächencharakterisierung, verbessert seine Leistung bei thermischer und mechanischer Belastung.

Reaktionsgebundener Siliziumkarbid-Träger 20 x 20 mm Anwendungen

Industrielle Verarbeitungsanlagen
- Verwendung als strukturelle Komponente in Hochtemperatur-Ofenträgern zur Aufrechterhaltung der Stabilität unter extremen Bedingungen durch Ausnutzung der thermischen Beständigkeit.
- Einsatz als verschleißfester Einsatz in Schleifsystemen, um die Materialerosion aufgrund seiner inhärenten Härte zu verringern.

Elektronik-Montage
- Dient als Kühlkörper in der Leistungselektronik, um ein effizientes Wärmemanagement zu erreichen, indem es seine hohe Wärmeleitfähigkeit von bis zu 1300 ℃ ausnutzt.
- Wird häufig als Substrat in stark beanspruchten elektronischen Bauteilen verwendet, um die Formstabilität während des Betriebs zu gewährleisten.

Reaktionsgebundener Siliziumkarbidbalken 20 x 20 mm Verpackung

Das Produkt wird mit schützenden Polstermaterialien verpackt und in einen starren, antistatischen Behälter gelegt, um die mechanische Belastung zu minimieren und Verunreinigungen zu vermeiden. Es wird in einer trockenen, temperaturkontrollierten Umgebung gelagert, um seine strukturelle und chemische Integrität zu erhalten. Kundenspezifische Verpackungsoptionen, wie z. B. individuelle Vakuumversiegelung und maßgeschneiderte Etikettierung, sind auf Anfrage erhältlich, um spezifische Lagerungs- und Handhabungsanforderungen zu erfüllen.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Welche Prozesskontrollen werden während der Herstellung durchgeführt?
A1: Das Material wird mittels Röntgenbeugung und mikrostruktureller Analyse mittels REM einer strengen Phasenprüfung unterzogen, um einen gleichmäßigen Reaktionsbindungsprozess zu gewährleisten, der die Fehlerdichte begrenzt und die thermische Stabilität aufrechterhält.

F2: Wie verhält sich das Material bei Hochtemperaturanwendungen?
A2: Mit einem Betriebsgrenzwert von ≤1300 ℃ behält der reaktionsgebundene Siliziumkarbid-Strahl seine strukturelle Integrität und Dimensionsstabilität bei, so dass er sich für den dauerhaften Einsatz in Hochtemperaturumgebungen eignet, die thermischen Zyklen ausgesetzt sind.

F3: Können die Abmessungen oder der Formfaktor des Trägers geändert werden?
A3: Eine Anpassung der Abmessungen und der Form ist auf Anfrage möglich. Die Anpassungen werden unter strengen Prozesskontrollen durchgeführt, um die mechanischen und thermischen Eigenschaften beizubehalten, die für die Anwendungsleistung entscheidend sind.

Zusätzliche Informationen

Siliziumkarbid (SiC) ist in der Materialwissenschaft weithin für seine außergewöhnliche Härte und Wärmeleitfähigkeit bekannt. Die Reaktionsbindung verwandelt SiC-Pulver in ein verfestigtes Gefüge, ohne dass eine Hochdruck-Sinterung erforderlich ist, was zu Komponenten führt, die sowohl kosteneffektiv als auch langlebig sind. Dieses Verfahren ist entscheidend für Anwendungen, die Materialien erfordern, die hohem Verschleiß und thermischen Schocks standhalten können.

Die Fortschritte in der Keramikverarbeitung haben den Anwendungsbereich von SiC in Bereichen wie Luft- und Raumfahrt, Elektronik und industrielle Fertigung erweitert. Das Verständnis des Zusammenspiels zwischen Materialverarbeitung, mikrostruktureller Integrität und funktioneller Leistung ist für die Optimierung keramischer Komponenten für bestimmte anspruchsvolle Szenarien unerlässlich.