SC9938 Reaktionsgebundenes Siliziumkarbid-Waferboot

Reaktionsgebundenes Siliciumcarbid-Waferboot Beschreibung

Reaction Bonded Silicon Carbide Wafer Boat wird in einem kontrollierten Reaktionsbindungsprozess hergestellt, der die mikrostrukturelle Integrität von SiC verbessert. Mit einer Materialreinheit von ≥92% und einer Dichte von ca. 3,0 g/cm³ ist das Produkt in Hochtemperaturumgebungen bis zu 1300℃ beständig einsetzbar. Sein Bootsformfaktor erleichtert die sichere Handhabung der Wafer während der thermischen Verarbeitung, während die anpassbaren Abmessungen die Kompatibilität mit verschiedenen Gerätekonfigurationen gewährleisten.

Anwendungen für reaktionsgebundene Siliziumkarbid-Waferboote

1)Halbleiterherstellung
- Verwendung als Träger bei der Ofenverarbeitung, um eine gleichmäßige thermische Belastung durch Ausnutzung der reaktionsgebundenen Struktur zu erreichen.

2.keramische Verarbeitung
- Anwendung als Probenhalter bei Hochtemperaturbehandlungen zur Förderung der Dimensionsstabilität und effizienter thermischer Zyklen durch seine kontrollierte Dichte.

Reaktionsgebundene Siliziumkarbid-Wafer-Boot-Packung

Das reaktionsgebundene Siliziumkarbid-Waferboot ist sicher in kontaminationsresistenten, antistatischen Materialien und gepolsterten Behältern verpackt, um mechanische Beschädigungen zu vermeiden. Die Einheiten werden mit einer Feuchtigkeitssperrfolie versiegelt und in einer trockenen, temperaturkontrollierten Umgebung gelagert. Kundenspezifische Verpackungsoptionen, einschließlich maßgeschneiderter Beschriftung und Unterteilung in Fächer, sind auf Anfrage erhältlich, um die Handhabung und Lagerung zu verbessern.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie trägt das Reaktionsklebeverfahren zur Dimensionsstabilität des Waferboots im Hochtemperaturbetrieb bei?
A1: Die kontrollierte Reaktionsbondtechnik gewährleistet eine gleichmäßige Phasenverteilung im SiC, wodurch die Dichte und die Maßhaltigkeit während der thermischen Zyklen konstant bleiben. Diese Stabilität ist entscheidend für die Handhabung von Wafern in der Halbleiterverarbeitung.

F2: Welche Maßnahmen werden ergriffen, um die Materialreinheit und Dichte des Waferboots zu überprüfen?
A2: Der Herstellungsprozess umfasst systematische mikroskopische Inspektionen und Dichtemessungen, um zu bestätigen, dass das Material einen Reinheitsgrad von mindestens 92 % und eine Dichte von nahezu 3,0 g/cm³ erreicht, was die Leistung unter Hochtemperaturbedingungen gewährleistet.

F3: Können die Abmessungen des Waferboots für bestimmte Verarbeitungsanlagen angepasst werden?
A3: Ja, die Abmessungen sind vollständig anpassbar, um die Kompatibilität mit verschiedenen Hochtemperaturanlagen zu gewährleisten und gleichzeitig die strukturelle Leistung zu erhalten.

Zusätzliche Informationen

Siliziumkarbid-Keramik wird wegen ihrer hohen thermischen Stabilität und Temperaturwechselbeständigkeit geschätzt und ist daher für anspruchsvolle industrielle Anwendungen geeignet. Das Reaktionskleben ist ein spezielles Verfahren, das die Mikrostruktur und die Leistung des Materials bei hohen Temperaturen verbessert, indem es die Phasenentwicklung und die Dichte kontrolliert.

Fortschritte bei den keramischen Verarbeitungstechniken verbessern die reaktionsgebundenen Werkstoffe weiter und treiben Innovationen bei Halbleiter- und Hochtemperaturverarbeitungsanlagen voran. Die laufende Forschung konzentriert sich auf die Optimierung der Sinterbedingungen und die Minimierung von Defekten, um die Einsatzmöglichkeiten von SiC-Komponenten in verschiedenen industriellen Anwendungen zu erweitern.