SC9917 Rekristallisierter Siliziumkarbidstrahl 80 x 80 mm

Rekristallisierter Siliziumkarbid-Träger 80 x 80 mm Beschreibung

Der rekristallisierte Siliziumkarbid-Träger 80 x 80 mm wird aus hochreinem Siliziumkarbid (SiC) hergestellt und bietet gleichbleibende thermische und mechanische Eigenschaften. Die Größe von 80 x 80 mm gewährleistet die Kompatibilität mit Geräten, die für standardisierte Keramikkomponenten ausgelegt sind. Die festgelegte Dichte von ~2,7 g/cm³ trägt dazu bei, dass die Formstabilität bei Temperaturwechseln erhalten bleibt. Dieser Strahl, der in einer kontrollierten Umgebung verarbeitet wird, eignet sich für Anwendungen, bei denen ein präzises Materialverhalten erforderlich ist.

Strahl aus rekristallisiertem Siliziumkarbid 80 x 80 mm Anwendungen

Industrielle Verarbeitung
- Verwendung als Strukturelement in Hochtemperaturöfen zur Erzielung von Dimensionsstabilität durch Ausnutzung der Wärmebeständigkeit von SiC.
- Verwendung als verschleißfeste Auskleidung in Verarbeitungsanlagen, um durch die inhärente Härte eine gleichbleibende Leistung zu erzielen.

Elektronik
- Dient als Substrat in Leistungsmodulen zur Erleichterung des Wärmemanagements durch Nutzung der kontrollierten Mikrostruktur und der Toleranz gegenüber Temperaturschwankungen des Materials.

Rekristallisierter Siliziumkarbid-Strahl 80 x 80 mm Verpackung

Der Träger ist in einer mit Schaumstoff ausgekleideten Kiste unter Schutzatmosphäre verpackt, um physische Schäden und Verunreinigungen zu vermeiden. Er ist in einer feuchtigkeitsbeständigen Verpackung versiegelt, um seine strukturelle Integrität während der Lagerung zu erhalten. Schutzmaßnahmen und kundenspezifische Verpackungsoptionen sind verfügbar, um spezifischen Lagerbedingungen und Handhabungsanforderungen gerecht zu werden und sicherzustellen, dass das Produkt bis zum Einsatz unversehrt bleibt.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Welche Vorsichtsmaßnahmen sind bei der Bearbeitung des Siliziumkarbidbalkens zu beachten?
A1: Die Bearbeitung von Siliziumkarbid erfordert in der Regel Diamantwerkzeuge und einen kontrollierten Kühlmittelauftrag. Durch die Anwendung geeigneter Techniken wird die Mikrorissbildung minimiert und die Maßhaltigkeit während des Materialabtrags bewahrt.

F2: Welchen Einfluss hat die Betriebstemperaturgrenze des Strahls auf seine Integration in Hochtemperaturanwendungen?
A2: Die Betriebstemperaturgrenze von ≤1650 ℃ begrenzt den sicheren Betriebsbereich. Wenn sich die Umgebung der Anwendung diesem Grenzwert nähert, müssen die Ingenieure zusätzliche Maßnahmen zum Wärmemanagement einplanen.

F3: Ist die Mikrostruktur bei allen gelieferten Strahlen gleich?
A3: SAM setzt während der Produktion Röntgenbeugung und Rasterelektronenmikroskopie ein, um die Einheitlichkeit der Mikrostruktur zu überwachen. Dadurch wird sichergestellt, dass der Strahl die erwarteten Leistungsparameter bei thermischen und mechanischen Anwendungen durchgängig erfüllt.

Zusätzliche Informationen

Siliziumkarbid (SiC) weist eine große Bandlücke und eine ausgezeichnete chemische Inertheit auf, was es zu einem bevorzugten Material in Hochtemperatur- und korrosiven Umgebungen macht. Das Verständnis des mikrostrukturellen Verhaltens von SiC hilft bei der Optimierung von Herstellungsprozessen und der Verbesserung der allgemeinen Materialleistung.

Die Rekristallisation von SiC verbessert die Kornausrichtung und die Verdichtung, was die thermische Stabilität erhöht und Wärmeschocks minimiert. Diese Eigenschaften sind von entscheidender Bedeutung bei der Auswahl von Materialien für Anwendungen, die strengen Betriebsbedingungen standhalten und gleichzeitig präzise Maßhaltigkeit und mechanische Eigenschaften aufweisen müssen.