SC9913 Rekristallisierter Siliziumkarbidstrahl 50 x 50 mm

Rekristallisierter Siliziumkarbid-Träger 50 x 50 mm Beschreibung

Der rekristallisierte Siliziumkarbidbalken 50 x 50 mm wird aus SiC mit einem Reinheitsgrad von mindestens 99 % hergestellt, was minimale Verunreinigungen und gleichbleibende Materialeigenschaften gewährleistet. Die Abmessung von 50 x 50 mm erleichtert die Kompatibilität mit Standard-Keramikbearbeitungsgeräten. Die Fähigkeit des Strahls, Temperaturen von bis zu 1650 ℃ standzuhalten, ist für Hochtemperaturanwendungen entscheidend. Seine dichte Struktur (~2,7 g/cm³) trägt zu einer robusten thermischen Leistung und mechanischen Festigkeit in anspruchsvollen Umgebungen bei.

Rekristallisierter Siliziumkarbidstrahl 50 x 50 mm Anwendungen

Industrielle Anwendungen
- Verwendung als Strukturbauteil in Hochtemperaturöfen zur Aufrechterhaltung der Stabilität bei thermischer Belastung durch Ausnutzung des hohen Schmelzpunkts von SiC.
- Wird als Träger in Wärmetauschern eingesetzt, um die Effizienz der Energieübertragung durch hervorragende Wärmeleitung zu verbessern.

Elektronik
- Dient als Substrat in leistungselektronischen Modulen, um die Wärmeableitung durch Ausnutzung der dem Material innewohnenden thermischen Eigenschaften zu steuern.
- Wird häufig für Sensorgehäuse verwendet, die sowohl Dimensionsstabilität als auch Beständigkeit gegen Temperaturwechsel erfordern.

Rekristallisierter Siliziumkarbidbalken 50 x 50 mm Verpackung

Der Träger wird in stoßfesten, mit Schaumstoff ausgekleideten Kisten mit antistatischer Umhüllung verpackt, um Verunreinigungen und mechanische Beschädigungen zu vermeiden. Es wird empfohlen, ihn in einer kontrollierten, trockenen Umgebung zu lagern, um die Aufnahme von Feuchtigkeit zu vermeiden. Kundenspezifische Verpackungsoptionen, einschließlich präziser Unterteilung und Beschriftung, sind auf Anfrage erhältlich. Jedes Paket wird vor dem Versand einer Endkontrolle unterzogen, um die Unversehrtheit während des Transports und der Lagerung zu gewährleisten.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Welche Maßnahmen zur Qualitätskontrolle werden während der Produktion durchgeführt?
A1: Detaillierte REM-Prüfungen und kontrollierte Rekristallisationsprotokolle werden eingesetzt, um die Kornstruktur zu überwachen und minimale Defekte zu gewährleisten, damit der Strahl seine mechanischen und thermischen Eigenschaften unter Betriebsbedingungen beibehält.

F2: Kann der Strahl einer längeren Hochtemperaturbelastung standhalten?
A2: Ja, der Strahl ist für einen Betrieb bis zu 1650 ℃ ausgelegt und damit für kontinuierliche Hochtemperaturprozesse geeignet. Die rekristallisierte Struktur verbessert die thermische Stabilität und minimiert die thermische Degradation.

F3: Welche Lagerungsbedingungen werden empfohlen, um die Materialintegrität zu erhalten?
A3: Der Strahl sollte in einer trockenen, temperaturgeregelten Umgebung mit antistatischer Verpackung gelagert werden, um eine Verunreinigung durch Feuchtigkeit und Partikel zu verhindern und so seine hochreinen Eigenschaften und seine Maßgenauigkeit zu bewahren.

Zusätzliche Informationen

Siliziumkarbid ist ein fortschrittliches keramisches Material, das für seinen hohen Schmelzpunkt und seine hervorragende Wärmeleitfähigkeit bekannt ist. Seine einzigartige Bindungsstruktur sorgt für eine hervorragende Beständigkeit gegen Temperaturschocks und chemische Korrosion. Forscher setzen Techniken wie die Rekristallisation ein, um die Mikrostruktur zu verfeinern und so eine verbesserte Zähigkeit und gleichbleibende Leistung zu erzielen.

Dieses Material wird zunehmend in industriellen Systemen eingesetzt, in denen hohe thermische und mechanische Belastungen an der Tagesordnung sind. Das Verständnis der Verarbeitungstechniken und Materialeigenschaften von SiC verbessert seine Integration in Anwendungen, die von Hochtemperaturöfen bis zum Wärmemanagement in elektronischen Geräten reichen.